Negative bias-induced threshold voltage instability in GaN-on-Si power HEMTs

MENEGHINI, MATTEO;ROSSETTO, ISABELLA;BISI, DAVIDE;RUZZARIN, MARIA;MENEGHESSO, GAUDENZIO;ZANONI, ENRICO
2016
2016
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS
WOS:000373129300032
2-s2.0-84963894325
01.01 - Articolo in rivista
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