Negative bias-induced threshold voltage instability in GaN-on-Si power HEMTs

Meneghini, Matteo; Rossetto, Isabella; Bisi, Davide; Ruzzarin, Maria; Van Hove, M.; Stoffels, S.; T. L., Wu; Marcon, D.; Decoutere, S.; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico

doi:10.1109/LED.2016.2530693

Negative bias-induced threshold voltage instability in GaN-on-Si power HEMTs

MENEGHINI, MATTEO;ROSSETTO, ISABELLA;BISI, DAVIDE;RUZZARIN, MARIA;Van Hove, M.;Stoffels, S.;Wu, T. L.;Marcon, D.;Decoutere, S.;MENEGHESSO, GAUDENZIO;ZANONI, ENRICO

2016

Scheda breve

Scheda completa

Scheda completa (DC)

	Anno
	
				2016
			
	Rivista su cui è pubblicata l'opera
	
				IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS
			
	Codice DOI
	
				https://dx.doi.org/10.1109/LED.2016.2530693
			
	Codice WOS
	
				WOS:000373129300032
			
	Codice Scopus
	
				2-s2.0-84963894325
			
	Codice OpenAlex
	
				W2311631879
			
	Appare nelle tipologie:
	
				01.01 - Articolo in rivista

File in questo prodotto:

File	Dimensione	Formato
2016 Meneghini Negative bias-induced.pdf Accesso riservato Tipologia: Published (Publisher's Version of Record) Licenza: Accesso privato - non pubblico Dimensione 756.7 kB Formato Adobe PDF Visualizza/Apri Richiedi una copia	756.7 kB	Adobe PDF	Visualizza/Apri Richiedi una copia