Time-Dependent Failure of GaN-on-Si Power HEMTs With p-GaN Gate

Rossetto, Isabella; Meneghini, Matteo; Hilt, O.; Bahat Treidel, E.; De Santi, Carlo; Dalcanale, Stefano; Wuerfl, J.; Zanoni, Enrico; Meneghesso, Gaudenzio

doi:10.1109/TED.2016.2553721

Time-Dependent Failure of GaN-on-Si Power HEMTs With p-GaN Gate

ROSSETTO, ISABELLA;MENEGHINI, MATTEO;Hilt, O.;Bahat Treidel, E.;DE SANTI, CARLO;DALCANALE, STEFANO;Wuerfl, J.;ZANONI, ENRICO;MENEGHESSO, GAUDENZIO

2016

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Scheda completa (DC)

	Anno
	
				2016
			
	Rivista su cui è pubblicata l'opera
	
				IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES
			
	Codice DOI
	
				https://dx.doi.org/10.1109/TED.2016.2553721
			
	Codice WOS
	
				WOS:000378592800016
			
	Codice Scopus
	
				2-s2.0-84992305665
			
	Codice OpenAlex
	
				W2343327181
			
	Identificativo progetto
	
	Finanziamento
	
									FP7
								
	Appare nelle tipologie:
	
				01.01 - Articolo in rivista

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