Normally-off GaN-HEMTs with p-type gate: Off-state degradation, forward gate stress and ESD failure

MENEGHINI, MATTEO;SILVESTRI, RICCARDO;ROSSETTO, ISABELLA;ZANONI, ENRICO;MENEGHESSO, GAUDENZIO;DALCANALE, STEFANO
2016

File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.
Pubblicazioni consigliate

I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11577/3224127
Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
  • Scopus 20
  • ???jsp.display-item.citation.isi??? 21
social impact