Deep level effects and degradation of 0.15 μm RF AlGaN/GaN HEMTs with Mono-layer and Bi-layer AlGaN backbarrier

Gao Z.;Chiocchetta F.;De Santi C.;Modolo N.;Rampazzo F.;Meneghini M.;Meneghesso G.;Zanoni E.;
2022

2022
Proceedings of 2022 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS)
978-1-6654-7950-9
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