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Investigation of nBTI degradation on GaN-on-Si E-mode MOSc-HEMT
2019 Viey, A. G.; Gaillard, F.; Modica, R.; Iucolano, F.; Meneghini, M.; Zanoni, E.; Meneghesso, G.; Ghibaudo, G.; Vandendaele, W.; Jaud, M. -A.; Cluzel, J.; Barnes, J. -P.; Martin, S.; Krakovinsky, A.; Gwoziecki, R.; Plissonnier, M.
Power GaN HEMT degradation: From time-dependent breakdown to hot-electron effects
2019 Meneghini, M.; Barbato, A.; Borga, M.; De Santi, C.; Barbato, M.; Stoffels, S.; Zhao, M.; Posthuma, N.; Decoutere, S.; Haeberlen, O.; Detzel, T.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Titolo | Data di pubblicazione | Autori | Rivista | Serie | Titolo libro |
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Investigation of nBTI degradation on GaN-on-Si E-mode MOSc-HEMT | 2019 | Meneghini M.Zanoni E.Meneghesso G. + | - | TECHNICAL DIGEST - INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING | Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM |
Power GaN HEMT degradation: From time-dependent breakdown to hot-electron effects | 2019 | Meneghini, M.Barbato, A.Borga, M.De Santi, C.Barbato, M.Stoffels, S.Meneghesso, G.Zanoni, E. + | - | TECHNICAL DIGEST - INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING | Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM |
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