BARBATO, ALESSANDRO
BARBATO, ALESSANDRO
Dipartimento di Ingegneria dell'Informazione - DEI
A case study of a motorised flexible IOD platform: the UNISAT-7 and REGULUS mission
2021 Milza, F; Toson, E; Bellomo, N; Di Roberto, R; Sparvieri, N; Graziani, F; Trezzolani, F; Manente, M; Paulon, D; Barbato, A; Magarotto, M; Mantellato, R; Cappellini, L; Selmo, A; Minute, M; Duzzi, M; Pavarin, D
A novel high voltage and high speed measurement system for dynamic RON measurements in GaN‐based high mobility transistors (HEMTs)
2016 Barbato, Alessandro; Rossetto, Isabella; Barbato, Marco; Meneghini, Matteo; Zanoni, Enrico; Meneghesso, Gaudenzio
A novel on-wafer approach to test the stability of GaN-based devices in hard switching conditions: Study of hot-electron effects
2020 Modolo, N.; Meneghini, M.; Barbato, A.; Nardo, A.; De Santi, C.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Sicre, S.; Prechtl, G.; Curatola, G.
A Novel System to Measure the Dynamic On‑Resistance of On‑Wafer 600 V Normally-Off GaN HEMTs in Real Application Conditions
2017 Barbato, Alessandro; Barbato, M.; Meneghini, M.; Silvestri, M.; Detzel, T.; Haeberlen, O.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Challenges towards highly reliable GaN power transistors
2018 Meneghini, M.; Barbato, A.; Borga, M.; Canato, E.; De Santi, C.; Fabris, E.; Rampazzo, F.; Tajalli, A.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Charge Trapping and Stability of E-Mode p-gate GaN HEMTs Under Soft- and Hard- Switching Conditions
2020 Masin, F.; Meneghini, M.; Canato, E.; Barbato, A.; De Santi, C.; Stockman, A.; Banerjee, A.; Moens, P.; Zanoni, E.; Meneghesso, G.
Degradation of GaN-Based Lateral and Vertical Devices—Challenges and Perspectives
2019 Meneghini, Matteo; DE SANTI, Carlo; Barbato, Alessandro; Borga, Matteo; Canato, Eleonora; Chiocchetta, Francesca; Fabris, Elena; Gao, Zhan; Masin, Fabrizio; Mukherjee, Kalparupa; Nardo, Arianna; Rampazzo, Fabiana; Ruzzarin, Maria; Rzin, Mehdi; Tajalli, Alaleh; Barbato, Marco; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico
Degradation physics of GaN-based lateral and vertical devices
2019 Meneghini, M.; De Santi, C.; Barbato, A.; Borga, M.; Canato, E.; Chiocchetta, Francesca; Fabris, E.; Masin, F.; Nardo, A.; Rampazzo, F.; Ruzzarin, M.; Tajalli, A.; Barbato, M.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Durability of Bifacial Solar Modules under Potential Induced Degradation: Role of the Encapsulation Materials
2016 Barbato, Marco; Meneghini, Matteo; Barbato, Alessandro; Tavernaro, Giacomo; Rossetto, Mark; Meneghesso, Gaudenzio
E-REGULUS: development of a 150 W prototype of magnetically enhanced plasma thruster
2021 Duzzi, Matteo; Manente, Marco; Trezzolani, Fabio; Bellomo, Nicolas; Barbato, Alessandro; Cappellini, Lorenzo; Minute, Marco; Mantellato, Riccardo; Magarotto, Mirko; Paulon, Devis; Schiavon, Alessandro; Scalzi, Davide; Selmo, ANTONIO FRANCO; Toson, Elena; Milza, Fabiana; Bianchi, Luca; Maria Di Cara, Davina; Pavarin, Daniele
ESD-failure of E-mode GaN HEMTs: Role of device geometry and charge trapping
2019 Canato, E.; Meneghini, M.; Nardo, A.; Masin, F.; Barbato, A.; Barbato, M.; Stockman, A.; Banerjee, A.; Moens, P.; Zanoni, E.; Meneghesso, G.
Evidence of mechanical degradation in microelectromechanical switches subjected to long-Term stresses
2017 Barbato, Marco; Mulloni, V.; Barbato, Alessandro; Silvestrini, Matteo; Cester, Andrea; Meneghesso, Gaudenzio
Fast System to measure the dynamic onresistance of on-wafer 600 v normally off GaN HEMTs in hard-switching application conditions
2020 Barbato, A.; Barbato, M.; Meneghini, M.; Silvestri, M.; Detzel, T.; Haeberlen, O.; Spiazzi, G.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Gallium Nitride power devices: challenges and perspectives
2018 Meneghini, M.; Barbato, A.; Borga, M.; Canato, E.; De Santi, C.; Fabris, E.; Rampazzo, F.; Ruzzarin, M.; Tajalli, A.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Non thermally-activated transients and buffer traps in GaN transistors with p-type gate: A new method for extracting the activation energy
2020 Nardo, A.; Meneghini, M.; Barbato, A.; De Santi, C.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Sicre, S.; Sayadi, L.; Prechtl, G.; Curatola, G.
Novel high-voltage double-pulsed system for GaN-based power HEMTs
2015 Stocco, Antonio; Bisi, Davide; Barbato, Alessandro; Meneghini, Matteo; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico
On Wafer Application Testing for 600 V E-mode GaN HEMTs in Boost Regime
2018 Barbato, A.; Barbato, M.; Meneghini, M.; Silvestri, M.; Detzel, T.; Haeberlen, O.; Spiazzi, G.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Potential induced degradation in high-efficiency bifacial solar cells
2016 Barbato, Marco; Meneghini, Matteo; Cester, Andrea; Barbato, Alessandro; Meneghesso, Gaudenzio; Tavernaro, G.; Rossetto, M.
Potential induced degradation of N-type bifacial silicon solar cells: An investigation based on electrical and optical measurements
2017 Barbato, M.; Barbato, A.; Meneghini, M.; Tavernaro, G.; Rossetto, M.; Meneghesso, G.
Power GaN HEMT degradation: From time-dependent breakdown to hot-electron effects
2019 Meneghini, M.; Barbato, A.; Borga, M.; De Santi, C.; Barbato, M.; Stoffels, S.; Zhao, M.; Posthuma, N.; Decoutere, S.; Haeberlen, O.; Detzel, T.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.