BARBATO, ALESSANDRO
BARBATO, ALESSANDRO
Dipartimento di Ingegneria dell'Informazione - DEI
Stress-induced instabilities of shunt paths in high efficiency MWT solar cells
2015 Barbato, Marco; Meneghini, Matteo; Cester, Andrea; Barbato, Alessandro; Zanoni, Enrico; Meneghesso, Gaudenzio; Mura, G.; Tonini, D.; Voltan, A.; Cellere, G.
Novel high-voltage double-pulsed system for GaN-based power HEMTs
2015 Stocco, Antonio; Bisi, Davide; Barbato, Alessandro; Meneghini, Matteo; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico
A novel high voltage and high speed measurement system for dynamic RON measurements in GaN‐based high mobility transistors (HEMTs)
2016 Barbato, Alessandro; Rossetto, Isabella; Barbato, Marco; Meneghini, Matteo; Zanoni, Enrico; Meneghesso, Gaudenzio
Durability of Bifacial Solar Modules under Potential Induced Degradation: Role of the Encapsulation Materials
2016 Barbato, Marco; Meneghini, Matteo; Barbato, Alessandro; Tavernaro, Giacomo; Rossetto, Mark; Meneghesso, Gaudenzio
Potential induced degradation in high-efficiency bifacial solar cells
2016 Barbato, Marco; Meneghini, Matteo; Cester, Andrea; Barbato, Alessandro; Meneghesso, Gaudenzio; Tavernaro, G.; Rossetto, M.
Reverse bias degradation of metal wrap through silicon solar cells
2016 Barbato, Marco; Barbato, Alessandro; Meneghini, Matteo; Cester, Andrea; Mura, G.; Tonini, D.; Voltan, A.; Cellere, G.; Meneghesso, Gaudenzio
Reliability physics of GaN HEMTs for power switching applications: role of the gate structure
2017 Zanoni, Enrico; Barbato, Alessandro; Bisi, Davide; DE SANTI, Carlo; Rampazzo, Fabiana; Rossetto, Isabella; Ruzzarin, Maria; Trivellin, Nicola; Chini, Alessandro; Verzellesi, Giovanni; Meneghesso, Gaudenzio; Meneghini, Matteo
Study of trapping in GaN-based power HEMTs based on High-Voltage Double-Pulsed Backgating Measurement System
2017 Ruzzarin, Maria; Barbato, Alessandro; Meneghini, Matteo; Rossetto, Isabella; Silvestri, Marco; Haeberlen, Oliver; Detzel, Thomas; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico
Evidence of mechanical degradation in microelectromechanical switches subjected to long-Term stresses
2017 Barbato, Marco; Mulloni, V.; Barbato, Alessandro; Silvestrini, Matteo; Cester, Andrea; Meneghesso, Gaudenzio
Secondary electroluminescence of GaN-on-Si RF HEMTs: Demonstration and physical origin
2017 Meneghini, Matteo; Barbato, Alessandro; Rossetto, Isabella; Favaron, Andrea; Silvestri, Marco; Lavanga, Simone; Sun, Haifeng; Brech, Helmut; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico
Role of deep levels and time-dependent breakdown effects in determining performances and reliability of power GaN devices
2017 Zanoni, Enrico; Barbato, Alessandro; Bisi, Davide; DE SANTI, Carlo; Rossetto, Isabella; Ruzzarin, Maria; Trivellin, Nicola; Chini, Alessandro; Meneghesso, Gaudenzio; Meneghini, Matteo
A Novel System to Measure the Dynamic On‑Resistance of On‑Wafer 600 V Normally-Off GaN HEMTs in Real Application Conditions
2017 Barbato, Alessandro; Barbato, M.; Meneghini, M.; Silvestri, M.; Detzel, T.; Haeberlen, O.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Potential induced degradation of N-type bifacial silicon solar cells: An investigation based on electrical and optical measurements
2017 Barbato, M.; Barbato, A.; Meneghini, M.; Tavernaro, G.; Rossetto, M.; Meneghesso, G.
Reliability and failure analysis in power GaN-HEMTs: An overview
2017 Meneghini, Matteo; Rossetto, Isabella; De Santi, Carlo; Rampazzo, Fabiana; Tajalli, Alaleh; Barbato, Alessandro; Ruzzarin, Maria; Borga, Matteo; Canato, Eleonora; Zanoni, Enrico; Meneghesso, Gaudenzio
Gallium Nitride power devices: challenges and perspectives
2018 Meneghini, M.; Barbato, A.; Borga, M.; Canato, E.; De Santi, C.; Fabris, E.; Rampazzo, F.; Ruzzarin, M.; Tajalli, A.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Reliability Issues in Lateral and Vertical GaN FETs for Power Electronics
2018 Meneghesso, G.; Meneghini, M.; De Santi, C.; Barbato, A.; Barbato, M.; Borga, M.; Canato, E.; Fabris, E.; Masin, F.; Ruzzarin, M.; Tajalli, A.; Zanoni, E.
Recent Advancements in Power GaN Reliability
2018 De Santi, C.; Meneghini, M.; Borga, M.; Ruzzarin, M.; Canato, E.; Tajalli, A.; Barbato, A.; Fabris, E.; Zanoni, E.; Meneghesso, G.
Challenges towards highly reliable GaN power transistors
2018 Meneghini, M.; Barbato, A.; Borga, M.; Canato, E.; De Santi, C.; Fabris, E.; Rampazzo, F.; Tajalli, A.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Study of the stability of GaN-HEMTs with p-type Gate under forward Gate Bias
2018 Ruzzarin, M.; Meneghini, M.; Barbato, A.; Padovan, Valeria; Haeberlen, O.; Silvestri, M.; Detzel, T.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
On Wafer Application Testing for 600 V E-mode GaN HEMTs in Boost Regime
2018 Barbato, A.; Barbato, M.; Meneghini, M.; Silvestri, M.; Detzel, T.; Haeberlen, O.; Spiazzi, G.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.