Modeling of TAT-related forward leakage current in InGaN/GaN SQW LEDs based on experimentally-determined defects parameters

M. Buffolo;N. Roccato;Francesco Piva;Carlo De Santi;G. Verzellesi;G. Meneghesso;E. Zanoni;M. Meneghini
2022
2022
Proceedings of the 2022 International Workshop on Nitride Semiconductors
04.01 - Contributo in atti di convegno
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.
Pubblicazioni consigliate

I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11577/3462195
Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
  • Scopus ND
  • ???jsp.display-item.citation.isi??? ND
social impact