Sfoglia per Serie TECHNICAL DIGEST - INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING
Carbon-related pBTI degradation mechanisms in GaN-on-Si E-mode MOSc-HEMT
2020 Viey, A. G.; Vandendaele, W.; Jaud, M. -A.; Gerrer, L.; Garros, X.; Cluzel, J.; Martin, S.; Krakovinsky, A.; Biscarrat, J.; Gwoziecki, R.; Plissonnier, M.; Gaillard, F.; Modica, R.; Iucolano, F.; Meneghini, M.; Meneghesso, G.; Ghibaudo, G.
Demonstration of avalanche capability in polarization-doped vertical GaN pn diodes: Study of walkout due to residual carbon concentration
2019 De Santi, C.; Fabris, E.; Nomoto, K.; Hu, Z.; Li, W.; Gao, X.; Jena, D.; Xing, H. G.; Meneghesso, G.; Meneghini, M.; Zanoni, E.
Investigation of nBTI degradation on GaN-on-Si E-mode MOSc-HEMT
2019 Viey, A. G.; Gaillard, F.; Modica, R.; Iucolano, F.; Meneghini, M.; Zanoni, E.; Meneghesso, G.; Ghibaudo, G.; Vandendaele, W.; Jaud, M. -A.; Cluzel, J.; Barnes, J. -P.; Martin, S.; Krakovinsky, A.; Gwoziecki, R.; Plissonnier, M.
Power GaN HEMT degradation: From time-dependent breakdown to hot-electron effects
2019 Meneghini, M.; Barbato, A.; Borga, M.; De Santi, C.; Barbato, M.; Stoffels, S.; Zhao, M.; Posthuma, N.; Decoutere, S.; Haeberlen, O.; Detzel, T.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Vertical GaN Devices: Reliability Challenges and Lessons Learned from Si and SiC
2024 Meneghini, M.; Fregolent, M.; Zagni, N.; Hamadoui, Y.; Marcuzzi, A.; Favero, D.; De Santi, C.; Buffolo, M.; Tomasi, M.; Zappala, G.; Bahat-Treidel, E.; Brusaterra, E.; Brunner, F.; Hilt, O.; Huber, C.; Medjdoub, F.; Meneghesso, G.; Verzellesi, G.; Pavan, P.; Zanoni, E.
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