Reliability physics of GaN HEMTs for power switching applications: role of the gate structure

Enrico Zanoni;Alessandro Barbato;Davide Bisi;Carlo De Santi;Fabiana Rampazzo;Isabella Rossetto;Maria Ruzzarin;Nicola Trivellin;Gaudenzio Meneghesso;Matteo Meneghini
2017

2017
Proceedings of the 12th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-12)
12th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-12)
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