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Degradation of GaN HEMT at high drain voltages

2007 Meneghesso, Gaudenzio; G., Verzellesi; Danesin, Francesca; Meneghini, Matteo; Rampazzo, Fabiana; Tazzoli, Augusto; Zanon, Franco; Zanoni, Enrico

ESD Robustness of AlGaN/GaN HEMT Devices

2007 Tazzoli, Augusto; Danesin, Francesca; Zanoni, Enrico; Meneghesso, Gaudenzio

Impact of 2-MeV Alpha Irradiation on AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors

2006 Zanon, Franco; Danesin, Francesca; Gerardin, Simone; Rampazzo, Fabiana; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Paccagnella, Alessandro

Degradation induced by 2-MeV alpha particles on AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors

2006 Danesin, Francesca; Zanon, Franco; Gerardin, Simone; Rampazzo, Fabiana; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Paccagnella, Alessandro

Traps characterization in Si-doped GaN/AlGaN/GaN HEMT on SiC by means of low frequency techniques

2005 Sozza, Alberto; C., Dua; N., Sarazin; E., Morvan; S. L., Delage; Rampazzo, Fabiana; Tazzoli, Augusto; Danesin, Francesca; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; A., Curutchet; N., Malbert; N., Labat

Evidence of traps creation in GaN/AlGaN/GaN HEMTs after a 3000 hour on-state and off-state hot electron stress

2005 Sozza, Alberto; C., Dua; E., Morvan; M. A., DIFORTE POISSON; S., Delage; Rampazzo, Fabiana; Tazzoli, Augusto; Danesin, Francesca; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; A., Curutchet; N., Malbert; N., Labat; B., Grimbert; J. C., DE JAEGER

Titolo	Data di pubblicazione	Autori	Rivista	Serie	Titolo libro
Degradation of GaN HEMT at high drain voltages	2007	MENEGHESSO, GAUDENZIOG. VERZELLESIDANESIN, FRANCESCAMENEGHINI, MATTEORAMPAZZO, FABIANATAZZOLI, AUGUSTOZANON, FRANCOZANONI, ENRICO + -	-	-	-
ESD Robustness of AlGaN/GaN HEMT Devices	2007	TAZZOLI, AUGUSTODANESIN, FRANCESCAZANONI, ENRICOMENEGHESSO, GAUDENZIO	-	-	-
Impact of 2-MeV Alpha Irradiation on AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors	2006	ZANON, FRANCODANESIN, FRANCESCAGERARDIN, SIMONERAMPAZZO, FABIANAMENEGHESSO, GAUDENZIOZANONI, ENRICOPACCAGNELLA, ALESSANDRO	-	-	30th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits, WOCSDICE 2006
Degradation induced by 2-MeV alpha particles on AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors	2006	DANESIN, FRANCESCAZANON, FRANCOGERARDIN, SIMONERAMPAZZO, FABIANAMENEGHESSO, GAUDENZIOZANONI, ENRICOPACCAGNELLA, ALESSANDRO	MICROELECTRONICS RELIABILITY	-	-
Traps characterization in Si-doped GaN/AlGaN/GaN HEMT on SiC by means of low frequency techniques	2005	SOZZA, ALBERTOC. DUAN. SARAZINE. MORVANS. L. DELAGERAMPAZZO, FABIANATAZZOLI, AUGUSTODANESIN, FRANCESCAMENEGHESSO, GAUDENZIOZANONI, ENRICOA. CURUTCHETN. MALBERTN. LABAT + -	-	-	-
Evidence of traps creation in GaN/AlGaN/GaN HEMTs after a 3000 hour on-state and off-state hot electron stress	2005	SOZZA, ALBERTOC. DUAE. MORVANM. A. DIFORTE POISSONS. DELAGERAMPAZZO, FABIANATAZZOLI, AUGUSTODANESIN, FRANCESCAMENEGHESSO, GAUDENZIOZANONI, ENRICOA. CURUTCHETN. MALBERTN. LABATB. GRIMBERTJ. C. DE JAEGER + -	-	-	-

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