TAZZOLI, AUGUSTO
TAZZOLI, AUGUSTO
Factors limiting the High Brightness InGaN LEDs performance at high injection current bias
2005 Levada, Simone; Carraro, D.; Favaro, E.; Meneghini, Matteo; Tazzoli, Augusto; Buso, Simone; Spiazzi, Giorgio; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico
Reliability of RF-MEMS
2005 R., Gaddi; A., Gnudi; Tazzoli, Augusto; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico
A novel fast and versatile temperature measurement system for LDMOS transistors
2005 Tazzoli, Augusto; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico
ESD induced damage on ultra-thin gate oxide MOSFETs and its impact on device reliability
2005 Cester, Andrea; Gerardin, Simone; Tazzoli, Augusto; Paccagnella, Alessandro; Zanoni, Enrico; G., Ghidini; Meneghesso, Gaudenzio
Resistive RF-MEMS Switches Characterization and Reliability
2005 Tazzoli, Augusto; A., Gnudi; R., Gaddi; Peretti, Vanni; Zanoni, Enrico; Meneghesso, Gaudenzio
Evidence of traps creation in GaN/AlGaN/GaN HEMTs after a 3000 hour on-state and off-state hot electron stress
2005 Sozza, Alberto; C., Dua; E., Morvan; M. A., DIFORTE POISSON; S., Delage; Rampazzo, Fabiana; Tazzoli, Augusto; Danesin, Francesca; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; A., Curutchet; N., Malbert; N., Labat; B., Grimbert; J. C., DE JAEGER
Traps characterization in Si-doped GaN/AlGaN/GaN HEMT on SiC by means of low frequency techniques
2005 Sozza, Alberto; C., Dua; N., Sarazin; E., Morvan; S. L., Delage; Rampazzo, Fabiana; Tazzoli, Augusto; Danesin, Francesca; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; A., Curutchet; N., Malbert; N., Labat
Development of ESD protection structures for BULK and SOI BCD6 technology
2006 Tazzoli, Augusto; Cerati, L; Dissegna, M; Andreini, A; Zanoni, Enrico; Meneghesso, Gaudenzio
Characterization Issues and ESD Sensitivity of RF-MEMS Switches
2006 Tazzoli, Augusto; Peretti, Vanni; D., Bozzato; Zanoni, Enrico; Meneghesso, Gaudenzio
Reliability issues in RF-MEMS switches submitted to cycling and ESD test
2006 Tazzoli, Augusto; Peretti, Vanni; Gaddi, R.; Gnudi, A.; Zanoni, Enrico; Meneghesso, Gaudenzio
Transmission line pulse (TLP) testing of radio frequency (RF) micro-machined micro-electromechanical systems (MEMS) switches
2006 Tazzoli, Augusto; Peretti, Vanni; Zanoni, Enrico; Meneghesso, Gaudenzio
Electrostatic discharge effects in ultrathin gate oxide MOSFETs
2006 Cester, Andrea; Gerardin, Simone; Tazzoli, Augusto; Meneghesso, Gaudenzio
Analysis of triggering behavior of low voltage BCD single and multi-finger gc-NMOS ESD protection devices
2006 M., Heer; S., Bychikhin; V., Dubec; D., Pogany; E., Gornik; M., Dissegna; L., Cerati; L., Zullino; A., Andreini; Tazzoli, Augusto; Meneghesso, Gaudenzio
Long Term Actuation Issues of Ohmic RF-MEMS Switches
2007 Tazzoli, Augusto; Peretti, Vanni; Meneghesso, Gaudenzio
ESD Robustness of AlGaN/GaN HEMT Devices
2007 Tazzoli, Augusto; Danesin, Francesca; Zanoni, Enrico; Meneghesso, Gaudenzio
Electrostatic Discharge Effects in Irradiated Fully Depleted SOI MOSFETs with Ultra-Thin Gate Oxide
2007 S., Gerardin; Cester, Andrea; Tazzoli, Augusto; Griffoni, Alessio; Meneghesso, Gaudenzio; Paccagnella, Alessandro
Holding voltage investigation of advanced SCR-based protection structures for CMOS technology
2007 Tazzoli, Augusto; Marino, FABIO ALESSIO; Cordoni, M; Benvenuti, A; Colombo, P; Zanoni, Enrico; Meneghesso, Gaudenzio
Electrostatic Discharge Effects in Irradiated Fully Depleted SOI MOSFETs with Ultra-Thin Gate Oxide
2007 Gerardin, Simone; Griffoni, Alessio; Tazzoli, Augusto; Cester, Andrea; Meneghesso, Gaudenzio; Paccagnella, Alessandro
Electrostatic Discharge Effects in Irradiated Fully Depleted SOI MOSFETs With Ultra-Thin Gate Oxide
2007 Gerardin, Simone; Griffoni, Alessio; Tazzoli, Augusto; Cester, Andrea; Meneghesso, Gaudenzio; Paccagnella, Alessandro
RF-MEMS Switches Reliability for Long Term Spatial Applications
2007 Tazzoli, Augusto; Peretti, Vanni; Cellere, Giorgio; Meneghesso, Gaudenzio