BERTIN, MARCO

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BERTIN, MARCO

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Dipartimento di Ingegneria dell'Informazione - DEI

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A novel degradation mechanism of AlGaN/GaN/Silicon heterostructures related to the generation of interface traps

2012 Meneghini, Matteo; Bertin, Marco; G., dal Santo; Stocco, Antonio; A., Chini; D., Marcon; P. E., Malinowski; G., Mura; E., Musu; M., Vanzi; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico

Degradation of AlGaN/GaN HEMTs below the “critical voltage”: a time-dependent analysis

2012 Meneghini, Matteo; Stocco, Antonio; Bertin, Marco; D., Marcon; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; DE SANTI, Carlo

Degradation of AlGaN/GaN Schottky diodes on silicon: Role of defects at the AlGaN/GaN interface

2013 Meneghini, Matteo; Bertin, Marco; Stocco, Antonio; Gabriele dal, Santo; Denis, Marcon; Pawel E., Malinowski; Alessandro, Chini; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico

Electrical and Electroluminescence Characteristics of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors Operated in Sustainable Breakdown Conditions

2013 Meneghini, Matteo; Zanandrea, Alberto; Rampazzo, Fabiana; Stocco, Antonio; Bertin, Marco; Cibin, Giulia; Dionyz, Pogany; Zanoni, Enrico; Meneghesso, Gaudenzio

Electroluminescence analysis of time-dependent reverse-bias degradation of HEMTs: a complete model

2011 Meneghini, Matteo; Stocco, Antonio; Bertin, Marco; Ronchi, Nicolo'; A., Chini; D., Marcon; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico

Evidence for breakdown luminescence in AlGaN/GaN HEMTs

2012 Meneghini, Matteo; Zanandrea, Alberto; Rampazzo, Fabiana; Stocco, Antonio; Bertin, Marco; D., Pogany; Zanoni, Enrico; Meneghesso, Gaudenzio

OFF-State Degradation of AlGaN/GaN Power HEMTs: Experimental Demonstration of Time-Dependent Drain-Source Breakdown

2014 Meneghini, Matteo; Cibin, Giulia; Bertin, Marco; G. A. M., Hurkx; P., Ivo; J., Sonsky; J. A., Croon; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico

Reverse-Bias Degradation of AlGaN/GaN Vertical Schottky Diodes: An Investigation Based on Electrical and Capacitive Measurements

2012 Meneghini, Matteo; Bertin, Marco; G., Dal Santo; Stocco, Antonio; Bisi, Davide; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; D., Marcon; P. E., Malinowski; A., Chini

Study of Time-Dependent Degradation of Reverse Biased AlGaN/GaN HEMTs

2012 Stocco, Antonio; Meneghini, Matteo; Bertin, Marco; D., Marcon; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico

Time dependent Degradation of AlGaN/GaN HEMTs

2012 Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Meneghini, Matteo; Stocco, Antonio; Silvestri, Riccardo; Bertin, Marco; Rampazzo, Fabiana

Time-dependent degradation of AlGaN/GaN high electron mobility transistors under reverse bias

2012 Meneghini, Matteo; Stocco, Antonio; Bertin, Marco; D., Marcon; A., Chini; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico

Titolo	Data di pubblicazione	Autori	Rivista	Serie	Titolo libro
A novel degradation mechanism of AlGaN/GaN/Silicon heterostructures related to the generation of interface traps	2012	MENEGHINI, MATTEOBERTIN, MARCOG. dal SantoSTOCCO, ANTONIOA. ChiniD. MarconP. E. MalinowskiG. MuraE. MusuM. VanziMENEGHESSO, GAUDENZIOZANONI, ENRICO + -	-	-	IEDM 2012, IEEE International Electron Devices Meeting
Degradation of AlGaN/GaN HEMTs below the “critical voltage”: a time-dependent analysis	2012	MENEGHINI, MATTEOSTOCCO, ANTONIOBERTIN, MARCOD. MarconMENEGHESSO, GAUDENZIOZANONI, ENRICODE SANTI CARLO + -	-	-	The International Conference of Compound Semiconductor Manufacturing Technology CS-MANTECH
Degradation of AlGaN/GaN Schottky diodes on silicon: Role of defects at the AlGaN/GaN interface	2013	MENEGHINI, MATTEOBERTIN, MARCOSTOCCO, ANTONIOGabriele dal SantoDenis MarconPawel E. MalinowskiAlessandro ChiniMENEGHESSO, GAUDENZIOZANONI, ENRICO + -	APPLIED PHYSICS LETTERS	-	-
Electrical and Electroluminescence Characteristics of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors Operated in Sustainable Breakdown Conditions	2013	MENEGHINI, MATTEOZANANDREA, ALBERTORAMPAZZO, FABIANASTOCCO, ANTONIOBERTIN, MARCOCIBIN, GIULIADionyz PoganyZANONI, ENRICOMENEGHESSO, GAUDENZIO + -	JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. PART 1, REGULAR PAPERS & SHORT NOTES	-	-
Electroluminescence analysis of time-dependent reverse-bias degradation of HEMTs: a complete model	2011	MENEGHINI, MATTEOSTOCCO, ANTONIOBERTIN, MARCORONCHI, NICOLO'A. ChiniD. MarconMENEGHESSO, GAUDENZIOZANONI, ENRICO + -	-	-	IEEE International Electron Device Meeting (IEDM 2011)
Evidence for breakdown luminescence in AlGaN/GaN HEMTs	2012	MENEGHINI, MATTEOZANANDREA, ALBERTORAMPAZZO, FABIANASTOCCO, ANTONIOBERTIN, MARCOD. PoganyZANONI, ENRICOMENEGHESSO, GAUDENZIO + -	-	-	IWN2012 International Workshop on Nitride Semiconductors
OFF-State Degradation of AlGaN/GaN Power HEMTs: Experimental Demonstration of Time-Dependent Drain-Source Breakdown	2014	MENEGHINI, MATTEOCIBIN, GIULIABERTIN, MARCOG. A. M. HurkxP. IvoJ. SonskyJ. A. CroonMENEGHESSO, GAUDENZIOZANONI, ENRICO + -	IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES	-	-
Reverse-Bias Degradation of AlGaN/GaN Vertical Schottky Diodes: An Investigation Based on Electrical and Capacitive Measurements	2012	MENEGHINI, MATTEOBERTIN, MARCOG. Dal SantoSTOCCO, ANTONIOBISI, DAVIDEMENEGHESSO, GAUDENZIOZANONI, ENRICOD. MarconP. E. MalinowskiA. Chini + -	-	-	ISCS 2012, 39th International Symposium on Compound Semiconductors, CSW
Study of Time-Dependent Degradation of Reverse Biased AlGaN/GaN HEMTs	2012	STOCCO, ANTONIOMENEGHINI, MATTEOBERTIN, MARCOD. MarconMENEGHESSO, GAUDENZIOZANONI, ENRICO + -	-	-	-
Time dependent Degradation of AlGaN/GaN HEMTs	2012	MENEGHESSO, GAUDENZIOZANONI, ENRICOMENEGHINI, MATTEOSTOCCO, ANTONIOSILVESTRI, RICCARDOBERTIN, MARCORAMPAZZO, FABIANA	-	-	-
Time-dependent degradation of AlGaN/GaN high electron mobility transistors under reverse bias	2012	MENEGHINI, MATTEOSTOCCO, ANTONIOBERTIN, MARCOD. MarconA. ChiniMENEGHESSO, GAUDENZIOZANONI, ENRICO + -	APPLIED PHYSICS LETTERS	-	-