SHARMA, CHANDAN
SHARMA, CHANDAN
Dipartimento di Ingegneria dell'Informazione - DEI
Deep levels effects and on-wafer reliability of 0.15 um InAlN/GaN and InAlGaN/GaN HEMTs with AlGaN backbarrier for RF applications
2022 Gao, Z.; Chiocchetta, F.; Fornasier, M.; Saro, M.; Stramare, E.; Tonello, A.; Sharma, C.; Modolo, N.; De Santi, C.; Rampazzo, F.; Meneghesso, G.; Meneghini, M.; Zanoni, E.; Jacquet, J-C.; Lacam, C.; Piotrowicz, S.; Oualli, M.; Michel, N.; Aroulanda, S.
Detrapping Kinetics in N-polar AlGaN/GaN MIS-HEMTs
2021 Chiocchetta, F; Calascione, C; De Santi, C; Sharma, C; Rampazzo, F; Zheng, X; Romanczyk, B; Guidry, M; Li, Hr; Keller, S; Mishra, U; Meneghesso, G; Meneghini, M; Zanoni, E
Failure mechanisms of GaN HEMTs for microwave and millimeter-wave applications: From interdiffusion effects to hot-electrons degradation
2021 Meneghesso, G.; Meneghini, M.; De Santi, C.; Buffolo, M.; Rampazzo, F.; Chiocchetta, F.; Zhan, G.; Sharma, C.; Zanoni, E.
Role of the AlGaN Cap Layer on the Trapping Behaviour of N-Polar GaN MISHEMTs
2021 Chiocchetta, F.; Calascione, C.; De Santi, C.; Sharma, C.; Rampazzo, F.; Zheng, X.; Romanczyk, B.; Guidry, M.; Li, H.; Keller, S.; Mishra, U. K.; Meneghesso, G.; Meneghini, M.; Zanoni, E.