SHARMA, CHANDAN

SHARMA, CHANDAN  

Dipartimento di Ingegneria dell'Informazione - DEI  

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Titolo Data di pubblicazione Autori Rivista Serie Titolo libro
Deep levels effects and on-wafer reliability of 0.15 um InAlN/GaN and InAlGaN/GaN HEMTs with AlGaN backbarrier for RF applications 2022 Z. GaoF. ChiocchettaM. FornasierM. SaroE. StramareA. TonelloC. SharmaN. ModoloC. De SantiF. RampazzoG. MeneghessoM. MeneghiniE. Zanoni + - - Proceedings of the 2022 International Workshop on Nitride Semiconductors
Detrapping Kinetics in N-polar AlGaN/GaN MIS-HEMTs 2021 Chiocchetta, FDe Santi, CSharma, CRampazzo, FMeneghesso, GMeneghini, MZanoni, E + - - 2021 IEEE 8th Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications (WiPDA)
Failure mechanisms of GaN HEMTs for microwave and millimeter-wave applications: From interdiffusion effects to hot-electrons degradation 2021 Meneghesso G.Meneghini M.De Santi C.Buffolo M.Rampazzo F.Chiocchetta F.Sharma C.Zanoni E. + - - Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium Proceedings 2021, EOS/ESD 2021
Role of the AlGaN Cap Layer on the Trapping Behaviour of N-Polar GaN MISHEMTs 2021 Chiocchetta F.De Santi C.Sharma C.Rampazzo F.Meneghesso G.Meneghini M.Zanoni E. + - IEEE INTERNATIONAL RELIABILITY PHYSICS SYMPOSIUM PROCEEDINGS IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings