SARO, MARCO

SARO, MARCO  

Università di Padova  

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Titolo Data di pubblicazione Autori Rivista Serie Titolo libro
Deep Level Effects in N-Polar AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors: Toward Zero Dispersion Effects 2024 Saro, Marcode Pieri, FrancescoCarlotto, AndreaFornasier, MirkoRampazzo, FabianaDe Santi, CarloMeneghesso, GaudenzioMeneghini, MatteoZanoni, EnricoBisi, Davide + - IEEE INTERNATIONAL RELIABILITY PHYSICS SYMPOSIUM PROCEEDINGS IEEE INTERNATIONAL RELIABILITY PHYSICS SYMPOSIUM 2024 PROCEEDINGS
Deep levels effects and on-wafer reliability of 0.15 um InAlN/GaN and InAlGaN/GaN HEMTs with AlGaN backbarrier for RF applications 2022 Z. GaoF. ChiocchettaM. FornasierM. SaroE. StramareA. TonelloC. SharmaN. ModoloC. De SantiF. RampazzoG. MeneghessoM. MeneghiniE. Zanoni + - - Proceedings of the 2022 International Workshop on Nitride Semiconductors
Dynamic Behavior of Threshold Voltage and ID–VDS Kink in AlGaN/GaN HEMTs Due to Poole–Frenkel Effect 2023 Gao, ZhanDe Santi, CarloRampazzo, FabianaSaro, MarcoFornasier, MirkoMeneghesso, GaudenzioMeneghini, MatteoZanoni, Enrico + IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES - -
Microwave and Millimeter-Wave GaN HEMTs: Impact of Epitaxial Structure on Short-Channel Effects, Electron Trapping, and Reliability 2023 Zanoni, EnricoSanti, Carlo DeGao, ZhanBuffolo, MatteoFornasier, MirkoSaro, MarcoPieri, Francesco DeRampazzo, FabianaMeneghesso, GaudenzioMeneghini, Matteo + IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES - -