BOITO, MIRCO
BOITO, MIRCO
Dipartimento di Ingegneria dell'Informazione - DEI
Experimental Evidence of Sustainable Avalanche Operation in E-Mode GaN HEMTs
2026 Fraccaroli, R.; Dell'Andrea, M.; Fregolent, M.; Boito, M.; Longato, S. L.; De Santi, C.; Rossetto, I.; Zanoni, E.; Meneghesso, G.; Pirani, A.; Pizzo, G.; Miccoli, C.; Russo, A.; Castagna, M. E.; Iucolano, F.; Meneghini, M.
Enhanced Gate Reliability of p-GaN/AlGaN/GaN HEMTs Due to Gate Hole Injection and Recombination
2025 Fregolent, Manuel; De Santi, Carlo; Boito, Mirco; Disarò, Michele; Pirani, Alessio; Eloisa Castagna, Maria; Miccoli, Cristina; Pizzo, Giansalvo; Rossetto, Isabella; Cerati, Lorenzo; Iucolano, Ferdinando; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Meneghini, Matteo
Evidence for double degradation regime in off-state stressed 100 V GaN transistors: From dielectric failure to subthreshold current increase
2025 Fraccaroli, R.; Fregolent, M.; Boito, M.; De Santi, C.; Canato, E.; Rossetto, I.; Castagna, M. E.; Miccoli, C.; Russo, A.; Iucolano, F.; Pirani, A.; Pizzo, G.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Negative Activation Energy of Gate Reliability in Schottky-Gate p-GaN HEMTs: Combined Gate Leakage Current Modeling and Spectral Electroluminescence Investigation
2024 Fregolent, Manuel; Boito, Mirco; Disarò, Michele; De Santi, Carlo; Buffolo, Matteo; Canato, Eleonora; Gallo, Michele; Miccoli, Cristina; Rossetto, Isabella; Pizzo, Giansalvo; Russo, Alfio; Iucolano, Ferdinando; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Meneghini, Matteo
Isolation properties and failure mechanisms of vertical Pt / n-GaN SBDs
2022 Fregolent, M; Boito, M; Marcuzzi, A; De Santi, C; Chiocchetta, F; Treidel, Eb; Wolf, M; Brunner, F; Hilt, O; Wurfl, J; Meneghesso, G; Zanoni, E; Meneghini, M