CANATO, ELEONORA
CANATO, ELEONORA
Università di Padova
Evidence for Avalanche Operation in Sub-Micrometer Power GaN HEMTs with p-GaN Gate
2025 Fraccaroli, Riccardo; Dell'Andrea, Matteo; Fregolent, Manuel; Boito, Mirco; De Santi, Carlo; Meneghesso, Gaudenzio; Canato, Eleonora; Zanoni, Enrico; Rossetto, Isabella; Pirani, Alessio; Pizzo, Giansalvo; Miccoli, Cristina; Russo, Alfio; Castagna, Maria Eloisa; Iucolano, Ferdinando; Meneghini, Matteo
Evidence for double degradation regime in off-state stressed 100 V GaN transistors: From dielectric failure to subthreshold current increase
2025 Fraccaroli, R.; Fregolent, M.; Boito, M.; De Santi, C.; Canato, E.; Rossetto, I.; Castagna, M. E.; Miccoli, C.; Russo, A.; Iucolano, F.; Pirani, A.; Pizzo, G.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Experimental Demonstration of Avalanche operation in lateral normally-off 100 V GaN HEMTs
2025 Fraccaroli, Riccardo; Dell’Andrea, Matteo; Fregolent, Manuel; Boito, Mirco; Rossetto, Isabella; De Santi, Carlo; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Canato, Eleonora; Pirani, Alessio; Pizzo, Giansalvo; Miccoli, Cristina; Russo, Alfio; Eloisa Castagna, Maria; Iucolano, Ferdinando; Meneghini, Matteo
Gate leakage modeling and reliability in forward gate bias of p-GaN HEMTs with Schottky-gate
2024 De Santi, Carlo; Fregolent, Manuel; Boito, Mirco; Disarò, Michele; Buffolo, Matteo; Canato, Eleonora; Gallo, Michele; Miccoli, Cristina; Rossetto, Isabella; Russo, Alfio; Iucolano, Ferdinando; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Meneghini, Matteo
Modeling of the gate leakage and forward gate reliability in Schottky-gate p-GaN HEMTs
2024 De Santi, Carlo; Fregolent, Manuel; Boito, Mirco; Disarò, Michele; Buffolo, Matteo; Canato, Eleonora; Gallo, Michele; Miccoli, Cristina; Rossetto, Isabella; Russo, Alfio; Iucolano, Ferdinando; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Meneghini, Matteo
GaN-on-silicon transistors with reduced current collapse and improved blocking voltage by means of local substrate removal
2021 Abid, I.; Canato, E.; Meneghini, M.; Meneghesso, G.; Cheng, K.; Medjdoub, F.
Schottky Gate Induced Threshold Voltage Instabilities in p-GaN Gate AlGaN/GaN HEMTs
2021 Stockman, A.; Canato, E.; Meneghini, M.; Meneghesso, G.; Moens, P.; Bakeroot, B.
Charge Trapping and Stability of E-Mode p-gate GaN HEMTs Under Soft- and Hard- Switching Conditions
2020 Masin, F.; Meneghini, M.; Canato, E.; Barbato, A.; De Santi, C.; Stockman, A.; Banerjee, A.; Moens, P.; Zanoni, E.; Meneghesso, G.
OFF-state trapping phenomena in GaN HEMTs: Interplay between gate trapping, acceptor ionization and positive charge redistribution
2020 Canato, E.; Meneghini, M.; De Santi, C.; Masin, F.; Stockman, A.; Moens, P.; Zanoni, E.; Meneghesso, G.
Buffer breakdown in GaN-on-Si HEMTs: A comprehensive study based on a sequential growth experiment
2019 Borga, M.; Meneghini, M.; Benazzi, D.; Canato, E.; Pusche, R.; Derluyn, J.; Abid, I.; Medjdoub, F.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Degradation of GaN-Based Lateral and Vertical Devices—Challenges and Perspectives
2019 Meneghini, Matteo; DE SANTI, Carlo; Barbato, Alessandro; Borga, Matteo; Canato, Eleonora; Chiocchetta, Francesca; Fabris, Elena; Gao, Zhan; Masin, Fabrizio; Mukherjee, Kalparupa; Nardo, Arianna; Rampazzo, Fabiana; Ruzzarin, Maria; Rzin, Mehdi; Tajalli, Alaleh; Barbato, Marco; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico
Degradation physics of GaN-based lateral and vertical devices
2019 Meneghini, M.; De Santi, C.; Barbato, A.; Borga, M.; Canato, E.; Chiocchetta, Francesca; Fabris, E.; Masin, F.; Nardo, A.; Rampazzo, F.; Ruzzarin, M.; Tajalli, A.; Barbato, M.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
ESD-failure of E-mode GaN HEMTs: Role of device geometry and charge trapping
2019 Canato, E.; Meneghini, M.; Nardo, A.; Masin, F.; Barbato, A.; Barbato, M.; Stockman, A.; Banerjee, A.; Moens, P.; Zanoni, E.; Meneghesso, G.
Positive temperature dependence of time-dependent breakdown of GaN-on-Si E-mode HEMTs under positive gate stress
2019 Masin, Fabrizio; Meneghini, M.; Canato, E.; De Santi, C.; Stockman, A.; Zanoni, E.; Moens, P.; Meneghesso, G.
Range Evaluation of Threshold Voltage Instabilities of GaN-on-Si HEMTs with p-GaN Gate
2019 Canato, E.; Masin, F.; Borga, M.; Zanoni, E.; Meneghini, M.; Meneghesso, G.; Stockman, A.; Banerjee, A.; Moens, P.
Reliability and Dynamic Performance of Gallium Nitride-based Devices for Power Applications
2019 De Santi, C.; Meneghini, M.; Barbato, A.; Borga, M.; Canato, E.; Chiocchetta, F.; Fabris, E.; Gao, Z.; Masin, F.; Mukherjee, K.; Nardo, A.; Ruzzarin, M.; Rzin, M.; Tajalli, A.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Threshold Voltage Instability Mechanisms in p-GaN Gate AlGaN/GaN HEMTs
2019 Stockman, A.; Canato, E.; Meneghini, M.; Meneghesso, G.; Moens, P.; Bakeroot, B.
Challenges towards highly reliable GaN power transistors
2018 Meneghini, M.; Barbato, A.; Borga, M.; Canato, E.; De Santi, C.; Fabris, E.; Rampazzo, F.; Tajalli, A.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Gallium Nitride power devices: challenges and perspectives
2018 Meneghini, M.; Barbato, A.; Borga, M.; Canato, E.; De Santi, C.; Fabris, E.; Rampazzo, F.; Ruzzarin, M.; Tajalli, A.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Impact of sidewall etching on the dynamic performance of GaN-on-Si E-mode transistors
2018 Tajalli, A.; Canato, E.; Nardo, Arianna; Meneghini, M.; Stockman, A.; Moens, P.; Zanoni, E.; Meneghesso, G.