BOITO, MIRCO
BOITO, MIRCO
Dipartimento di Ingegneria dell'Informazione - DEI
Evidence for double degradation regime in off-state stressed 100 V GaN transistors: From dielectric failure to subthreshold current increase
2025 Fraccaroli, R.; Fregolent, M.; Boito, M.; De Santi, C.; Canato, E.; Rossetto, I.; Castagna, M. E.; Miccoli, C.; Russo, A.; Iucolano, F.; Pirani, A.; Pizzo, G.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Investigation of Wafer-Level Dynamic Properties of p-GaN HEMTs in Hard Switching Conditions
2024 Boito, M.; Fregolent, M.; De Santi, C.; Abbisogni, A.; Smerzi, S.; Rossetto, I.; Iucolano, F.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Negative Activation Energy of Gate Reliability in Schottky-Gate p-GaN HEMTs: Combined Gate Leakage Current Modeling and Spectral Electroluminescence Investigation
2024 Fregolent, Manuel; Boito, Mirco; Disarò, Michele; De Santi, Carlo; Buffolo, Matteo; Canato, Eleonora; Gallo, Michele; Miccoli, Cristina; Rossetto, Isabella; Pizzo, Giansalvo; Russo, Alfio; Iucolano, Ferdinando; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Meneghini, Matteo
On-Wafer Dynamic Operation of Power GaN-HEMTs: Degradation Processes Investigated by a Novel Experimental Approach
2024 Boito, M.; Fregolent, M.; De Santi, C.; Abbisogni, A.; Smerzi, S.; Rossetto, I.; Iucolano, F.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Isolation properties and failure mechanisms of vertical Pt / n-GaN SBDs
2022 Fregolent, M; Boito, M; Marcuzzi, A; De Santi, C; Chiocchetta, F; Treidel, Eb; Wolf, M; Brunner, F; Hilt, O; Wurfl, J; Meneghesso, G; Zanoni, E; Meneghini, M