CARLOTTO, ANDREA
CARLOTTO, ANDREA
Dipartimento di Ingegneria dell'Informazione - DEI
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Deep Level Effects in N-Polar AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors: Toward Zero Dispersion Effects
2024 Saro, Marco; de Pieri, Francesco; Carlotto, Andrea; Fornasier, Mirko; Rampazzo, Fabiana; De Santi, Carlo; Meneghesso, Gaudenzio; Meneghini, Matteo; Zanoni, Enrico; Bisi, Davide; Guidry, Matthew; Keller, Stacia; Mishra, Umesh
Scaling of GaN HEMTs for microwave and millimeter-wave applications: achieving control of short-channel effects, deep levels and reliability
2024 Zanoni, Enrico; Buffolo, Matteo; Carlotto, Andrea; DE PIERI, Francesco; DE SANTI, Carlo; Meneghesso, Gaudenzio; Meneghini, Matteo; Rampazzo, Fabiana
Titolo | Data di pubblicazione | Autori | Rivista | Serie | Titolo libro |
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Deep Level Effects in N-Polar AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors: Toward Zero Dispersion Effects | 2024 | Saro, Marcode Pieri, FrancescoCarlotto, AndreaFornasier, MirkoRampazzo, FabianaDe Santi, CarloMeneghesso, GaudenzioMeneghini, MatteoZanoni, EnricoBisi, Davide + | - | IEEE INTERNATIONAL RELIABILITY PHYSICS SYMPOSIUM PROCEEDINGS | IEEE INTERNATIONAL RELIABILITY PHYSICS SYMPOSIUM 2024 PROCEEDINGS |
Scaling of GaN HEMTs for microwave and millimeter-wave applications: achieving control of short-channel effects, deep levels and reliability | 2024 | Enrico ZanoniMatteo BuffoloAndrea CarlottoFrancesco De PieriCarlo De SantiGaudenzio MeneghessoMatteo MeneghiniFabiana Rampazzo | - | - | Proceedings of TWHM 2024 |