RENSO, NICOLA
RENSO, NICOLA
Dipartimento di Ingegneria dell'Informazione - DEI
Analysis of degradation mechanisms induced by electrical over-stress on high efficiency gallium nitride LEDs
2019 Renso, Nicola
Challenges for highly reliable GaN-based LEDs
2019 Zanoni, E.; De Santi, C.; Trivellin, N.; Renso, N.; Buffolo, M.; Monti, D.; Caria, A.; Piva, F.; Meneghesso, G.; Meneghini, M.
Degradation of InGaN-based LEDs: Demonstration of a recombination-dependent defect-generation process
2020 Renso, N; De Santi, C; Caria, A; Dalla Torre, F; Zecchin, L; Meneghesso, G; Zanoni, E; Meneghini, M
Degradation of InGaN-based optoelectronic devices under electrical and optical stress
2018 De Santi, C.; Meneghini, M.; Caria, A.; Renso, N.; Dogmus, E.; Zegaoui, M.; Medjdoub, F.; Zanoni, E.; Meneghesso, G.
Demonstration of band-to-band tunneling and avalanche regime in InGaN LEDs
2019 Renso, N.; De Santi, C.; Dalapati, P.; Monti, D.; Binder, M.; Galler, B.; Zeisel, R.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Demonstration of tunneling and sub-bandgap recombination in InGaN LEDs at extremely low current levels
2019 Renso, N.; Buffolo, M.; De Santi, C.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Dependence of degradation on InGaN quantum well position: A study based on color coded structures
2020 Caria, A.; Renso, N.; De Santi, C.; Dalla Torre, F.; Zecchin, L.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Electrically- and Optically-driven Degradation Processes in InGaN-based Photodetectors
2018 De Santi, C.; Meneghini, M.; Caria, A.; Renso, N.; Dogmus, E.; Zegaoui, M.; Medjdoub, F.; Zanoni, E.; Meneghesso, G.
Evidence for avalanche generation in reverse-biased InGaN LEDs
2019 Renso, N.; De Santi, C.; Dalapati, P.; Monti, D.; Binder, M.; Galler, B.; Zeisel, R.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Evidence for defect-assisted tunneling and recombination at extremely low current in InGaN/GaN-based LEDs
2019 DE SANTI, Carlo; Buffolo, Matteo; Renso, Nicola; Neviani, Andrea; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Meneghini, Matteo
Evidence for recombination-induced degradation processes in InGaN-based optoelectronic devices
2018 De Santi, C.; Meneghini, M.; Caria, Alessandro; Renso, N.; Dogmus, E.; Zegaoui, M.; Medjdoub, Farid; Zanoni, E.; Meneghesso, G.
Evidence of optically induced degradation in gallium nitride optoelectronic devices
2018 De Santi, Carlo; Caria, Alessandro; Renso, Nicola; Dogmus, Ezgi; Zegaoui, Malek; Medjdoub, Farid; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Meneghini, Matteo
Experimental observation of TDDB-like behavior in reverse-biased green InGaN LEDs
2016 Buffolo, Matteo; Meneghini, Matteo; DE SANTI, Carlo; Felber, Henry; Renso, Nicola; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico
Failure limits and electro-optical characteristics of GaN-based LEDs under electrical overstress
2018 Renso, N.; Buffolo, M.; De Santi, C.; Ronzani, M.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Investigation of the time-dependent failure of InGaN-based LEDs submitted to reverse-bias stress
2017 De Santi, Carlo; Meneghini, Matteo; Renso, Nicola; Buffolo, Matteo; Trivellin, Nicola; Mura, Giovanna; Vanzi, Massimo; Migliori, Andrea; Morandi, Vittorio; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico
Origin of the low-forward leakage current in InGaN-based LEDs
2019 De Santi, C.; Buffolo, M.; Renso, N.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Photon-driven degradation processes in GaN-based optoelectronic devices
2019 De Santi, C.; Caria, A.; Renso, N.; Dogmus, E.; Zegaoui, M.; Medjdoub, F.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Understanding the degradation processes of GaN based LEDs submitted to extremely high current density
2017 Renso, N.; Meneghini, M.; Buffolo, M.; De Santi, C.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.