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Titolo Data di pubblicazione Autori Rivista Serie Titolo libro
Thermal droop in InGaN-based LEDs: an analysis based on temperature-dependent L-I characterization 2014 LA GRASSA, MARCOMENEGHINI, MATTEODE SANTI, CARLOMENEGHESSO, GAUDENZIOZANONI, ENRICO + - - Proceedings of the 23rd European Workshop on Heterostructure Technology - HETECH 2014
Thermal droop in InGaN-based LEDs: Physical origin and dependence on material properties 2016 DE SANTI, CARLOMENEGHINI, MATTEOLA GRASSA, MARCOTRIVELLIN, NICOLAMENEGHESSO, GAUDENZIOZANONI, ENRICO + - - Proceedings of SPIE: LIGHT-EMITTING DIODES: MATERIALS, DEVICES, AND APPLICATIONS FOR SOLID STATE LIGHTING XX
Thermal stability analysis of High Brightness LED during high temperature and electrical aging 2007 TREVISANELLO, LORENZO ROBERTOMENEGHINI, MATTEOBUSO, SIMONESPIAZZI, GIORGIOMENEGHESSO, GAUDENZIOZANONI, ENRICO + - - Proc. SPIE Vol. 6669-41
Thermal, optical, and electrical engineering of an innovative tunable white LED light engine 2014 TRIVELLIN, NICOLAMENEGHINI, MATTEOFERRETTI, MARCOBARBISAN, DIEGODAL LAGO, MATTEOMENEGHESSO, GAUDENZIOZANONI, ENRICO - - Light-Emitting Diodes: Materials, Devices, and Applications for Solid State Lighting XVIIILight-Emitting Diodes: Materials, Devices, and Applications for Solid State Lighting XVIII
Thermal-activated degradation mechanism on Phosphor-Converted Light Emitting Diode 2008 TREVISANELLO, LORENZO ROBERTOTRIVELLIN, NICOLAMENEGHINI, MATTEOZANONI, ENRICOMENEGHESSO, GAUDENZIO - - -
Thermally activated degradation and package instabilities of low power PC-LEDs 2009 TREVISANELLO, LORENZO ROBERTOMENEGHINI, MATTEOTRIVELLIN, NICOLAZANONI, ENRICOMENEGHESSO, GAUDENZIO - - -
Thermally activated failure modes and mechanisms of high electron mobility transistors 1989 ZANONI, ENRICO + - - -
Thermally-activated degradation of InGaN-based green lasers: degradation mechanisms and acceleration laws 2014 MENEGHINI, MATTEOTRIVELLIN, NICOLADE SANTI, CARLOMENEGHESSO, GAUDENZIOZANONI, ENRICO + - - Proc. of 38th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits, WOCSDICE 2014
Thermally-activated failure mechanisms of 0.25 μm RF AlGaN/GaN HEMTs submitted to long-term life tests 2023 Gao, ZChiocchetta, FRampazzo, FDe Santi, CFornasier, MMeneghesso, GMeneghini, MZanoni, E - IEEE INTERNATIONAL RELIABILITY PHYSICS SYMPOSIUM PROCEEDINGS Proceedings of the 2023 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS 2023)
Three terminal Breakdown evaluation in GaN-HEMT 2009 TAZZOLI, AUGUSTOZANONI, ENRICOMENEGHESSO, GAUDENZIO - - -
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Tipologia
  • 04 CONTRIBUTO IN ATTO DI CONVEGNO 570
  • 04 CONTRIBUTO IN ATTO DI CONVEGNO... 570
Autore
  • MENEGHESSO, GAUDENZIO 529
  • MENEGHINI, MATTEO 398
  • DE SANTI, CARLO 194
  • TRIVELLIN, NICOLA 89
  • BUFFOLO, MATTEO 81
  • RAMPAZZO, FABIANA 80
  • STOCCO, ANTONIO 49
  • TAZZOLI, AUGUSTO 35
  • CARIA, ALESSANDRO 31
  • ROSSETTO, ISABELLA 30
Data di pubblicazione
  • 2020 - 2023 103
  • 2010 - 2019 270
  • 2000 - 2009 132
  • 1990 - 1999 52
  • 1981 - 1989 13
Editore
  • SPIE 32
  • Institute of Electrical and Elect... 29
  • IEEE 21
  • SPIE-INT SOC OPTICAL ENGINEERING 18
  • IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ... 6
  • IEEE Institute of Electrical and ... 4
  • Gaudenzio Meneghesso 3
  • IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ... 3
  • Institute of Physics Publishing 3
  • IEEE / Institute of Electrical an... 2
Rivista
  • PROCEEDINGS OF SPIE, THE INTERNAT... 9
  • IEEE INTERNATIONAL RELIABILITY PH... 5
  • INSTITUTE OF PHYSICS CONFERENCE S... 3
  • PROCEEDINGS OF THE EUROPEAN SOLID... 3
  • AIP CONFERENCE PROCEEDINGS 2
  • IEEE MTT-S INTERNATIONAL MICROWAV... 1
  • PROCEEDINGS OF THE INTERNATIONAL ... 1
Serie
  • PROCEEDINGS OF SPIE, THE INTERNAT... 32
  • IEEE INTERNATIONAL RELIABILITY PH... 18
  • TECHNICAL DIGEST - INTERNATIONAL ... 3
  • PROCEEDINGS OF THE ... INTERNATIO... 1
Keyword
  • reliability 143
  • HEMT 137
  • Gallium Nitride 128
  • degradation 127
  • light emitting diodes 63
  • Charge Trapping 61
  • InGaN 49
  • Gallium Arsenide 24
  • Reliability 20
  • Electrical and Electronic Enginee... 18
Lingua
  • eng 545
  • ita 8
Accesso al fulltext
  • no fulltext 570