RicercaInizia una nuova ricerca

NOTA: è possibile cercare una corrispondenza esatta usando i doppi apici, ad es: "evoluzione della specie". Qualora si cerchi un identificativo, è consigliabile cercarlo in due modi differenti: tra apici con caratteri speciali es: "978-94-6366-274" oppure senza caratteri speciali solo come sequenza numerica: es 978946366274.

cerca in
Risultati 541 - 550 di 570 (tempo di esecuzione: 0.359 secondi).
Titolo Data di pubblicazione Autori Rivista Serie Titolo libro
Transconductance overshoot as a signature of trapping effects at backbarrier interface of GaN HEMTs : dependence on device epitaxial structure 2023 Zhan GaoFrancesco De PieriCarlo De SantiFabiana RampazzoMatteo MeneghiniGaudenzio MeneghessoEnrico Zanoni + - - Proceedings of ICNS-14
Transient Performance, Breakdown And Degradation Of Power Transistors GaN On Si Technology 2013 MENEGHINI, MATTEOBISI, DAVIDEMENEGHESSO, GAUDENZIOZANONI, ENRICO + - - 45th annual meeting of the Associazione Gruppo Italiano di Elettronica
Transient Phenomena in GaAs and GaN Devices, including Electroluminescence and Emission Spectroscopy, for Future THz Applications 2006 MENEGHESSO, GAUDENZIOZANONI, ENRICO + - - -
Transmission line pulse (TLP) testing of radio frequency (RF) micro-machined micro-electromechanical systems (MEMS) switches 2006 TAZZOLI, AUGUSTOPERETTI, VANNIZANONI, ENRICOMENEGHESSO, GAUDENZIO - - -
Trap analysis on GaN HEMT after DC accelerated tests 2009 STOCCO, ANTONIORONCHI, NICOLO'ZANON, FRANCOZANONI, ENRICOMENEGHESSO, GAUDENZIO + - - -
Trap characterization of AlGaN/GaN HEMTs through drain current measurements under pulsed-RF large-signal excitation 2015 MENEGHINI, MATTEOMENEGHESSO, GAUDENZIOZANONI, ENRICO + - - Proc. of IEEE MTT-S International Microwave Symposium, IMS 2015
Trap Dynamics Model Explaining the RON Stress/Recovery Behavior in Carbon-Doped Power AlGaN/GaN MOS-HEMTs 2020 Meneghini M.Meneghesso G.Zanoni E.Verzellesi G. + - IEEE INTERNATIONAL RELIABILITY PHYSICS SYMPOSIUM PROCEEDINGS IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings
Trap investigation under class AB operation in AlGaN/GaN HEMTs based on output-admittance frequency dispersion, pulsed and transient measurements 2015 BISI, DAVIDEMENEGHINI, MATTEOMENEGHESSO, GAUDENZIOZANONI, ENRICO + - - Proc. of 10th European Microwave Integrated Circuits Conference, EuMIC 2015
Trap parameter extraction and compact modeling of non-ideal dynamic performance in AlGaN/GaN HEMTs 2022 Carlo De SantiNicola ModoloGiulio BaratellaMatteo BorgaGaudenzio MeneghessoEnrico ZanoniMatteo Meneghini + - - Proceedings of the 2022 International Workshop on Nitride Semiconductors
Trap related instabilities and localized damages induced by reverse bias” 2009 ZANONI, ENRICOMENEGHESSO, GAUDENZIORAMPAZZO, FABIANAMENEGHINI, MATTEOTAZZOLI, AUGUSTODANESIN, FRANCESCAZANON, FRANCORONCHI, NICOLO'STOCCO, ANTONIO - - -
Risultati 541 - 550 di 570 (tempo di esecuzione: 0.359 secondi).
↑ Back to top
Legenda icone

  •  file ad accesso aperto
  •  file disponibili sulla rete interna
  •  file disponibili agli utenti autorizzati
  •  file disponibili solo agli amministratori
  •  file sotto embargo
  •  nessun file disponibile

Aggiungere filtri:  
Aggiungi
Opzioni
Scopri
Tipologia
  • 04 CONTRIBUTO IN ATTO DI CONVEGNO 570
  • 04 CONTRIBUTO IN ATTO DI CONVEGNO... 570
Autore
  • MENEGHESSO, GAUDENZIO 529
  • MENEGHINI, MATTEO 398
  • DE SANTI, CARLO 194
  • TRIVELLIN, NICOLA 89
  • BUFFOLO, MATTEO 81
  • RAMPAZZO, FABIANA 80
  • STOCCO, ANTONIO 49
  • TAZZOLI, AUGUSTO 35
  • CARIA, ALESSANDRO 31
  • ROSSETTO, ISABELLA 30
Data di pubblicazione
  • 2020 - 2023 103
  • 2010 - 2019 270
  • 2000 - 2009 132
  • 1990 - 1999 52
  • 1981 - 1989 13
Editore
  • SPIE 32
  • Institute of Electrical and Elect... 29
  • IEEE 21
  • SPIE-INT SOC OPTICAL ENGINEERING 18
  • IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ... 6
  • IEEE Institute of Electrical and ... 4
  • Gaudenzio Meneghesso 3
  • IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ... 3
  • Institute of Physics Publishing 3
  • IEEE / Institute of Electrical an... 2
Rivista
  • PROCEEDINGS OF SPIE, THE INTERNAT... 9
  • IEEE INTERNATIONAL RELIABILITY PH... 5
  • INSTITUTE OF PHYSICS CONFERENCE S... 3
  • PROCEEDINGS OF THE EUROPEAN SOLID... 3
  • AIP CONFERENCE PROCEEDINGS 2
  • IEEE MTT-S INTERNATIONAL MICROWAV... 1
  • PROCEEDINGS OF THE INTERNATIONAL ... 1
Serie
  • PROCEEDINGS OF SPIE, THE INTERNAT... 32
  • IEEE INTERNATIONAL RELIABILITY PH... 18
  • TECHNICAL DIGEST - INTERNATIONAL ... 3
  • PROCEEDINGS OF THE ... INTERNATIO... 1
Keyword
  • reliability 143
  • HEMT 137
  • Gallium Nitride 128
  • degradation 127
  • light emitting diodes 63
  • Charge Trapping 61
  • InGaN 49
  • Gallium Arsenide 24
  • Reliability 20
  • Electrical and Electronic Enginee... 18
Lingua
  • eng 545
  • ita 8
Accesso al fulltext
  • no fulltext 570