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Titolo Data di pubblicazione Autori Rivista Serie Titolo libro
Threshold Voltage Instabilities in D-Mode GaN HEMTs for Power Switching Applications 2014 MENEGHESSO, GAUDENZIOSILVESTRI, RICCARDOMENEGHINI, MATTEOCESTER, ANDREAZANONI, ENRICO + - - 52nd IEEE International Reliability Physics Symposium, IRPS
Threshold Voltage Instability in SiC MOSFETs: Analysis and Modeling 2023 M. MeneghiniA. MarcuzziC. De SantiG. MeneghessoE. Zanoni + - - Proceedings of ICSCRM 2023 (International Conference on Silicon Carbide and Related Materials)
Threshold voltage shift investigation and oxide trap profile extraction in AlGaN/GaN MIS-HEMTs 2013 MENEGHESSO, GAUDENZIOZANONI, ENRICO + - - 22th European workshop on Heterostructure Technology, HeTech 2013
Threshold Voltage Variations in Semi-vertical GaN-on-Si FETs: A Comprehensive Study 2019 Kalparupa MukherjeeMatteo BorgaMaria RuzzarinGaudenzio MeneghessoEnrico ZanoniMatteo Meneghini + - - Proceedings of the 13th International Conference on Nitride Semiconductors 2019 (ICNS-13)
Time and field-dependent trapping in AlGaN/GaN E-mode transistors 2011 MENEGHINI, MATTEODE SANTI, CARLOMENEGHESSO, GAUDENZIOZANONI, ENRICO + - - 9th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-9)
Time dependent Degradation of AlGaN/GaN HEMTs 2012 MENEGHESSO, GAUDENZIOZANONI, ENRICOMENEGHINI, MATTEOSTOCCO, ANTONIOSILVESTRI, RICCARDOBERTIN, MARCORAMPAZZO, FABIANA - - -
Time-dependent degradation of hydrogen-terminated diamond MESFETs 2022 De Santi, CNardo, AMeneghesso, GZanoni, EMeneghini, M + - PROCEEDINGS OF SPIE, THE INTERNATIONAL SOCIETY FOR OPTICAL ENGINEERING Proceedings Volume 12000, Terahertz, RF, Millimeter, and Submillimeter-Wave Technology and Applications XV
Total Suppression of Dynamic-Ron in AlGaN/GaN-HEMTs Through Proton Irradiation 2017 Meneghini, MTajalli, AGerardin, SBagatin, MPaccagnella, AZanoni, EMeneghesso, G + - - IEEE International Electron Devices Meeting
Towards high reliability GaN LEDs: Understanding the physical origin of gradual and catastrophic failure 2015 MENEGHINI, MATTEODE SANTI, CARLOBUFFOLO, MATTEOMENEGHESSO, GAUDENZIOZANONI, ENRICO + - - Proc. of 12th China International Forum on Solid State Lighting, SSLCHINA 2015
Towards low-trapping GaN-on-silicon material system for 1200 V applications 2018 A. TajalliM. MeneghiniG. MeneghessoE. Zanoni + - - Proceedings of the European Materials Research Society Fall Meeting 2018
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Tipologia
  • 04 CONTRIBUTO IN ATTO DI CONVEGNO 570
  • 04 CONTRIBUTO IN ATTO DI CONVEGNO... 570
Autore
  • MENEGHESSO, GAUDENZIO 529
  • MENEGHINI, MATTEO 398
  • DE SANTI, CARLO 194
  • TRIVELLIN, NICOLA 89
  • BUFFOLO, MATTEO 81
  • RAMPAZZO, FABIANA 80
  • STOCCO, ANTONIO 49
  • TAZZOLI, AUGUSTO 35
  • CARIA, ALESSANDRO 31
  • ROSSETTO, ISABELLA 30
Data di pubblicazione
  • 2020 - 2023 103
  • 2010 - 2019 270
  • 2000 - 2009 132
  • 1990 - 1999 52
  • 1981 - 1989 13
Editore
  • SPIE 32
  • Institute of Electrical and Elect... 29
  • IEEE 21
  • SPIE-INT SOC OPTICAL ENGINEERING 18
  • IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ... 6
  • IEEE Institute of Electrical and ... 4
  • Gaudenzio Meneghesso 3
  • IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ... 3
  • Institute of Physics Publishing 3
  • IEEE / Institute of Electrical an... 2
Rivista
  • PROCEEDINGS OF SPIE, THE INTERNAT... 9
  • IEEE INTERNATIONAL RELIABILITY PH... 5
  • INSTITUTE OF PHYSICS CONFERENCE S... 3
  • PROCEEDINGS OF THE EUROPEAN SOLID... 3
  • AIP CONFERENCE PROCEEDINGS 2
  • IEEE MTT-S INTERNATIONAL MICROWAV... 1
  • PROCEEDINGS OF THE INTERNATIONAL ... 1
Serie
  • PROCEEDINGS OF SPIE, THE INTERNAT... 32
  • IEEE INTERNATIONAL RELIABILITY PH... 18
  • TECHNICAL DIGEST - INTERNATIONAL ... 3
  • PROCEEDINGS OF THE ... INTERNATIO... 1
Keyword
  • reliability 143
  • HEMT 137
  • Gallium Nitride 128
  • degradation 127
  • light emitting diodes 63
  • Charge Trapping 61
  • InGaN 49
  • Gallium Arsenide 24
  • Reliability 20
  • Electrical and Electronic Enginee... 18
Lingua
  • eng 545
  • ita 8
Accesso al fulltext
  • no fulltext 570