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Titolo Data di pubblicazione Autori Rivista Serie Titolo libro
A combined µ-Cathodoluminescence and µ-Photoluminescence Investigation of the Degradation of InGaN/GaN Laser Diodes 2013 MENEGHINI, MATTEOCARRARO, SIMONEVACCARI, SIMONETRIVELLIN, NICOLAMENEGHESSO, GAUDENZIOZANONI, ENRICO + - - 10th International Conference on Nitride Semiconductors (online abstract)
A compact method for measuring parasitic resistances in bipolar transistors 1993 ZANONI, ENRICO + - - Proceedings of the European Solid State Device Research Conference
A comprehensive reliability evaluation of high-performance AlGaN/GaN HEMTs for space applications 2016 DE SANTI, CARLODALCANALE, STEFANOSTOCCO, ANTONIORAMPAZZO, FABIANAGERARDIN, SIMONEMENEGHINI, MATTEOMENEGHESSO, GAUDENZIOZANONI, ENRICO + - - proc. of the 8th Wide Bandgap Semiconductors and Components Workshop
A fully electronic sensor for the measurement of cDNA hybridization kinetics 2007 CAGNIN, STEFANOZANONI, ENRICOLANFRANCHI, GEROLAMO + BIOSENSORS & BIOELECTRONICS - -
A Generalized Approach to Determine the Switching Reliability of GaN HEMTs on-Wafer Level 2021 Modolo N.Minetto A.De Santi C.Meneghesso G.Zanoni E.Meneghini M. + - IEEE INTERNATIONAL RELIABILITY PHYSICS SYMPOSIUM PROCEEDINGS IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings
A led lighting device with an adjustable spatial distribution of the emitted light 2011 MENEGHINI, MATTEOZANONI, ENRICOBRUSATIN, GIOVANNA + - - -
A model for the thermal degradation of metal/(p-GaN) interface in GaN-based light emitting diodes 2008 MENEGHINI, MATTEOTREVISANELLO, LORENZO ROBERTOMENEGHESSO, GAUDENZIOZANONI, ENRICO + JOURNAL OF APPLIED PHYSICS - -
A new approach to correlate transport processes and optical efficiency in GaN-based LEDs 2009 MENEGHINI, MATTEOZANONI, ENRICO + JOURNAL OF PHYSICS D. APPLIED PHYSICS - -
A new degradation mechanism induced by DX-center in AlGaAs/InGaAs PM-HEMT's 1994 ZANONI, ENRICOMENEGHESSO, GAUDENZIONEVIANI, ANDREA + - - -
A new experimental technique for extracting base resistance and characterizing current crowding phenomena in bipolar transistorsInternational Technical Digest on Electron Devices Meeting 1992 ZANONI, ENRICO + - - International Technical Digest on Electron Devices Meeting
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Autore
  • MENEGHESSO, GAUDENZIO 968
  • MENEGHINI, MATTEO 755
  • DE SANTI, CARLO 375
  • BUFFOLO, MATTEO 155
  • TRIVELLIN, NICOLA 148
  • RAMPAZZO, FABIANA 119
  • STOCCO, ANTONIO 69
  • ROSSETTO, ISABELLA 61
  • BISI, DAVIDE 56
  • CARIA, ALESSANDRO 56
Data di pubblicazione
  • 2020 - 2024 229
  • 2010 - 2019 490
  • 2000 - 2009 229
  • 1990 - 1999 148
  • 1981 - 1989 58
Editore
  • Institute of Electrical and Elect... 69
  • Elsevier Ltd 52
  • Elsevier 34
  • SPIE 32
  • IEEE 29
  • IEEE / Institute of Electrical an... 25
  • IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ... 23
  • SPIE-INT SOC OPTICAL ENGINEERING 18
  • IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ... 16
  • ELSEVIER 15
Rivista
  • MICROELECTRONICS RELIABILITY 141
  • IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEV... 83
  • IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS 42
  • APPLIED PHYSICS LETTERS 33
  • JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 19
  • IEEE TRANSACTIONS ON DEVICE AND M... 16
  • ELECTRONICS LETTERS 15
  • JOURNAL OF PHYSICS D. APPLIED PHY... 10
  • SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY 10
  • MATERIALS 9
Serie
  • PROCEEDINGS OF SPIE, THE INTERNAT... 32
  • IEEE INTERNATIONAL RELIABILITY PH... 18
  • TECHNICAL DIGEST - INTERNATIONAL ... 3
  • PROCEEDINGS OF THE ... INTERNATIO... 1
Keyword
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Lingua
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