CHINI, ALESSANDRO
CHINI, ALESSANDRO
2.1 A/mm current density AlGaN/GaN HEMT
2003 Chini, Alessandro; Coffie, R.; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Buttari, Dario; Heikman, S.; Keller, S.; Mishra, U. K.
Characterization of GaN-based metal-semiconductor field-effect transistors by comparing Electroluminescence, Photoionization and Cathodoluminescence Spectroscopy
2002 N., Armani; M., Manfredi; M., Pavesi; V., Grillo; G., Salviati; Chini, Alessandro; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico
Effects of buffer compensation strategies on the electrical performance and RF reliability of AlGaN/GaN HEMTs
2015 Bisi, D; Stocco, A.; Rossetto, I.; Meneghini, M.; Rampazzo, Fabiana.; Chini, A.; Soci, F.; Pantellini, A.; Lanzieri, C.; Gamarra, P.; Lacam, C.; Tordjman, M.; Di Forte-Poisson, M. -A.; De Salvador, D.; Bazzan, M.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
GaN-based power devices: Physics, reliability, and perspectives
2021 Meneghini, M.; De Santi, C.; Abid, I.; Buffolo, M.; Cioni, M.; Khadar, R. A.; Nela, L.; Zagni, N.; Chini, A.; Medjdoub, F.; Meneghesso, G.; Verzellesi, G.; Zanoni, E.; Matioli, E.
Long Term Stability of InGaAs/AlInAs/GaAs Methamorphic HEMTs
2001 Meneghesso, Gaudenzio; Chini, Alessandro; Zanoni, Enrico
Measurements of the InGaAs Hole Impact Ionization Coefficient in InAlAs/InGaAs pnp HBTs
2001 Buttari, Dario; Chini, Alessandro; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Sawdai, D.; Pavlidis, D.; Hsu, S. S. H.
On-wafer RF stress and trapping kinetics of Fe-doped AlGaN/GaN HEMTs
2018 Rzin, Mehdi; Chini, A.; De Santi, C.; Meneghini, M.; Hugger, A.; Hollmer, M.; Stieglauer, H.; Madel, M.; Splettstößer, J.; Sommer, D.; Grünenpütt, J.; Beilenhoff, K.; Blanck, H.; Chen, J. -T.; Kordina, O.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Parasitic effects and long term stability of InP-based HEMTs
2000 Meneghesso, Gaudenzio; R., Luise; Buttari, Dario; Chini, Alessandro; H., Yokoyama; T., Suemitsu; Zanoni, Enrico
Pulsed measurements and circuit modeling of weak and strong avalanche effects in GaAs MESFETs and HEMTs
2003 Meneghesso, Gaudenzio; Chini, Alessandro; M., Maretto; Zanoni, Enrico
Systematic characterization of Cl2 reactive ion etching for improved ohmics in AlGaN/GaN HEMTs
2002 Buttari, Dario; Chini, Alessandro; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Moran, B.; Heikman, S.; Zhang, N. Q.; Shen, L.; Coffie, R.; Denbaars, S. P.; Mishra, U. K.
Systematic characterization of Cl2 reactive ion etching for gate recessing in AlGaN/GaN HEMTs
2002 Buttari, Dario; Chini, Alessandro; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; P., Chavarkar; R., Coffie; N. Q., Zhang; S., Heikinan; L., Shen; H., Xing; C., Zheng; U. K., Mishra
Trap Characterization in Buried-Gate N-Channel 6H-SiC JFETs
2001 Meneghesso, Gaudenzio; Chini, Alessandro; G., Verzellesi; A., Cavallini; C., Canali; Zanoni, Enrico