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NOTA: è possibile cercare una corrispondenza esatta usando i doppi apici, ad es: "evoluzione della specie". Qualora si cerchi un identificativo, è consigliabile cercarlo in due modi differenti: tra apici con caratteri speciali es: "978-94-6366-274" oppure senza caratteri speciali solo come sequenza numerica: es 978946366274.
Traps characterization in Si-doped GaN/AlGaN/GaN HEMT on SiC by means of low frequency techniques
2005 Sozza, Alberto; C., Dua; N., Sarazin; E., Morvan; S. L., Delage; Rampazzo, Fabiana; Tazzoli, Augusto; Danesin, Francesca; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; A., Curutchet; N., Malbert; N., Labat
Traps related effects in SiC and GaN-based devices
2001 Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico
Two-Dimensional Numerical Simulation of Deep Level Effect in 6H-SiC Buried-Gate JFETs
2001 G., Verzellesi; Meneghesso, Gaudenzio; A., Cavallini; Zanoni, Enrico; C., Canali
Unpassivated GaN/AlGaN/GaN HEMTs with very low DC to RF drain current dispersion
2004 Pierobon, Roberto; Rampazzo, Fabiana; Corradini, Luca; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; J., Bernt; M. MARSO AND P., Kordos
UV LED reliability: degradation mechanisms and challenges
2022 Meneghini, M; Piva, F; De Santi, C; Trivellin, N; Buffolo, M; Roccato, N; Brescancin, R; Grigoletto, M; Fiorimonte, D; Einfeldt, S; Glaab, J; Ruschel, J; Susilo, N; Wernicke, T; Kneissl, M; Meneghesso, G; Zanoni, E
Vertical stack reliability of GaN-on-Si buffers for low-voltage applications
2021 Fabris, E.; Borga, M.; Posthuma, N.; Zhao, M.; De Jaeger, B.; You, S.; Decoutere, S.; Meneghini, M.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Welcome to ESSCIRC 2014
2014 Meneghesso, Gaudenzio; Pietro, Andreani; Bevilacqua, Andrea
White light source based on GaN laser diode
2017 Trivellin, N.; Buffolo, M.; Meneghini, M.; Zanoni, E.; Meneghesso, G.
White-light sources based on GaN laser diodes: Analysis and application study
2018 Trivellin, Nicola; Yushchenko, Maksym; Buffolo, Matteo; Meneghini, Matteo; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico
Wide band gap Innovative SiC for Advanced Power (WInSiC4AP) a European project driving the future applications of SiC
2018 Liggio, L.; Imbruglia, A.; Saggio, M.; Cacciato, M.; Domingo Salvany, J.; Silvestre, B.; Reggiani, S.; Meneghesso, G.; Patanè, S.; Husak, M.; Wurz, M. C.; Roccaforte, F.; Fiorenza, P.; La Via, F.; La Magna, A.; Pignat, X.; Metzelard, O.; Favre, J.; Di Leo, F.; Haug, M.; Michaud, J-F.; Alquier, D.; Havlik, J.; Valentinetti, T.; Viano, G.; Russo, G.
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Tipologia
- 04 CONTRIBUTO IN ATTO DI CONVEGNO 671
- 04 CONTRIBUTO IN ATTO DI CONVEGNO... 671
Data di pubblicazione
- 2020 - 2023 107
- 2010 - 2019 337
- 2000 - 2009 184
- 1992 - 1999 43
Editore
- Institute of Electrical and Elect... 35
- SPIE 33
- IEEE 22
- SPIE-INT SOC OPTICAL ENGINEERING 18
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- IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ... 5
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Rivista
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Serie
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- IEEE INTERNATIONAL RELIABILITY PH... 20
- TECHNICAL DIGEST - INTERNATIONAL ... 4
- PROCEEDINGS OF THE ... INTERNATIO... 1
- PROCEEDINGS OF THE INTERNATIONAL ... 1
Keyword
- reliability 172
- HEMT 156
- degradation 152
- Gallium Nitride 140
- Charge Trapping 66
- light emitting diodes 65
- InGaN 49
- Electrostatic discharge (ESD) 36
- MEMS 32
- Gallium Arsenide 31
Lingua
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Accesso al fulltext
- no fulltext 670
- open 1