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NOTA: è possibile cercare una corrispondenza esatta usando i doppi apici, ad es: "evoluzione della specie". Qualora si cerchi un identificativo, è consigliabile cercarlo in due modi differenti: tra apici con caratteri speciali es: "978-94-6366-274" oppure senza caratteri speciali solo come sequenza numerica: es 978946366274.
Trap-Related Effects in 6H-SiC Buried-Gate JFET's
2001 Meneghesso, Gaudenzio; Chini, Alessandro; Zanoni, Enrico; G., Verzellesi; E., Tediosi; C., Canali; A., Cavallini; A., Castaldini
Trapping and High Electric Field Parasitic and Degradation phenomena in AlGaN/GaN power HEMTs
2012 Meneghesso, Gaudenzio; Meneghini, Matteo; Zanoni, Enrico
Trapping and high field related issues in GaN power HEMTs
2014 Meneghesso, Gaudenzio; Meneghini, Matteo; Alessandro, Chini; Giovanni, Verzellesi; Zanoni, Enrico
Trapping and high-field characterization in Recessed-Gate AlGaN/GaN-on-Silicon HEMT
2010 Meneghesso, Gaudenzio; Ronchi, Nicolo'; Stocco, Antonio; Zanoni, Enrico; E., Piner; S., Tirelli; A. R., Alt; C. R., Bolognesi
Trapping and reliability of wide bandgap devices
2022 DE SANTI, Carlo; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Meneghini, Matteo
Trapping in Al2O3/GaN MOScaps investigated by fast capacitive techniques
2023 Fregolent, M; Marcuzzi, A; De Santi, C; Treidel, Eb; Meneghesso, G; Zanoni, E; Meneghini, M
Trapping induced parasitic effects in GaN-HEMT for power switching applications
2015 Meneghesso, Gaudenzio; Meneghini, Matteo; Zanoni, Enrico; Vanmeerbeek, Piet; Moens, Peter
Trapping processes and band discontinuities in Ga2O3FinFETs investigated by dynamic characterization and optically-assisted measurements
2021 De Santi, C.; Fabris, E.; Caria, A.; Buffolo, M.; Li, W.; Nomoto, K.; Hu, Z.; Jena, D.; Xing, H. G.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Trapping processes related to iron and carbon doping in AlGaN/GaN power HEMTs
2015 Meneghini, Matteo; Bisi, Davide; Rossetto, Isabella; DE SANTI, Carlo; Stocco, Antonio; Hilt, O.; Bahat Treidel, E.; Wuerfl, J.; Rampazzo, Fabiana; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico
Traps characterization in AlGaN/GaN HEMTs by means of Drain Current Transient Measurements
2012 F., Soci; A., Chini; F., Fantini; A., Nanni; A., Pantellini; C., Lanzieri; Bisi, Davide; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico
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Tipologia
- 04 CONTRIBUTO IN ATTO DI CONVEGNO 671
- 04 CONTRIBUTO IN ATTO DI CONVEGNO... 671
Data di pubblicazione
- 2020 - 2023 107
- 2010 - 2019 337
- 2000 - 2009 184
- 1992 - 1999 43
Editore
- Institute of Electrical and Elect... 35
- SPIE 33
- IEEE 22
- SPIE-INT SOC OPTICAL ENGINEERING 18
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Rivista
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- PROCEEDINGS OF THE INTERNATIONAL ... 1
Serie
- PROCEEDINGS OF SPIE, THE INTERNAT... 32
- IEEE INTERNATIONAL RELIABILITY PH... 20
- TECHNICAL DIGEST - INTERNATIONAL ... 4
- PROCEEDINGS OF THE ... INTERNATIO... 1
- PROCEEDINGS OF THE INTERNATIONAL ... 1
Keyword
- reliability 172
- HEMT 156
- degradation 152
- Gallium Nitride 140
- Charge Trapping 66
- light emitting diodes 65
- InGaN 49
- Electrostatic discharge (ESD) 36
- MEMS 32
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Lingua
- eng 649
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Accesso al fulltext
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