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Titolo Data di pubblicazione Autori Rivista Serie Titolo libro
Trap Dynamics Model Explaining the RON Stress/Recovery Behavior in Carbon-Doped Power AlGaN/GaN MOS-HEMTs 2020 Meneghini M.Meneghesso G.Zanoni E.Verzellesi G. + - IEEE INTERNATIONAL RELIABILITY PHYSICS SYMPOSIUM PROCEEDINGS IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings
Trap investigation under class AB operation in AlGaN/GaN HEMTs based on output-admittance frequency dispersion, pulsed and transient measurements 2015 BISI, DAVIDEMENEGHINI, MATTEOMENEGHESSO, GAUDENZIOZANONI, ENRICO + - - Proc. of 10th European Microwave Integrated Circuits Conference, EuMIC 2015
Trap parameter extraction and compact modeling of non-ideal dynamic performance in AlGaN/GaN HEMTs 2022 Carlo De SantiNicola ModoloGiulio BaratellaMatteo BorgaGaudenzio MeneghessoEnrico ZanoniMatteo Meneghini + - - Proceedings of the 2022 International Workshop on Nitride Semiconductors
Trap related instabilities and localized damages induced by reverse bias” 2009 ZANONI, ENRICOMENEGHESSO, GAUDENZIORAMPAZZO, FABIANAMENEGHINI, MATTEOTAZZOLI, AUGUSTODANESIN, FRANCESCAZANON, FRANCORONCHI, NICOLO'STOCCO, ANTONIO - - -
Trap-assisted forward tunneling current in InGaN/GaN LEDs: experiments and physics-based simulation 2014 MENEGHINI, MATTEOMENEGHESSO, GAUDENZIOZANONI, ENRICO + - - Proc of International Workshop on Nitride Semiconductors IWN-2014
Trap-assisted tunneling contributions to subthreshold forward current in InGaN/GaN light-emitting diodes 2015 MENEGHINI, MATTEOMENEGHESSO, GAUDENZIOZANONI, ENRICO + - - Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering - Volume 9571 - Volume 9571
Trap-assisted tunneling in InGaN/GaN LEDs: Experiments and physics-based simulation 2014 MENEGHINI, MATTEOMENEGHESSO, GAUDENZIOZANONI, ENRICO + - - Numerical Simulation of Optoelectronic Devices, NUSOD 2014
Trapping and High Electric Field Parasitic and Degradation phenomena in AlGaN/GaN power HEMTs 2012 MENEGHESSO, GAUDENZIOMENEGHINI, MATTEOZANONI, ENRICO - - IWN2012 International Workshop on Nitride Semiconductors
Trapping and high field related issues in GaN power HEMTs 2014 MENEGHESSO, GAUDENZIOMENEGHINI, MATTEOZANONI, ENRICO + - - 2014 IEEE International Electron Devices Meeting
Trapping and reliability of wide bandgap devices 2022 Carlo De SantiGaudenzio MeneghessoEnrico ZanoniMatteo Meneghini - - Proceedings of the 2022 European Solid-state Devices and Circuits Conference
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Tipologia
  • 04 CONTRIBUTO IN ATTO DI CONVEGNO 448
  • 04 CONTRIBUTO IN ATTO DI CONVEGNO... 428
  • 04 CONTRIBUTO IN ATTO DI CONVEGNO... 20
Autore
  • MENEGHESSO, GAUDENZIO 429
  • ZANONI, ENRICO 418
  • DE SANTI, CARLO 205
  • TRIVELLIN, NICOLA 94
  • BUFFOLO, MATTEO 84
  • RAMPAZZO, FABIANA 53
  • STOCCO, ANTONIO 41
  • CARIA, ALESSANDRO 32
  • ROSSETTO, ISABELLA 31
  • BISI, DAVIDE 30
Data di pubblicazione
  • 2020 - 2023 112
  • 2010 - 2019 286
  • 2004 - 2009 50
Editore
  • Institute of Electrical and Elect... 35
  • SPIE 35
  • SPIE-INT SOC OPTICAL ENGINEERING 18
  • IEEE 16
  • IEEE Institute of Electrical and ... 4
  • IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ... 3
  • IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ... 3
  • IEEE / Institute of Electrical an... 2
  • IEEE Computer Society 2
  • Optica publishing group 2
Rivista
  • PROCEEDINGS OF SPIE, THE INTERNAT... 10
  • IEEE INTERNATIONAL RELIABILITY PH... 5
  • PROCEEDINGS OF THE EUROPEAN SOLID... 4
  • AIP CONFERENCE PROCEEDINGS 2
  • IEEE MTT-S INTERNATIONAL MICROWAV... 1
  • PROCEEDINGS OF THE INTERNATIONAL ... 1
Serie
  • PROCEEDINGS OF SPIE, THE INTERNAT... 33
  • IEEE INTERNATIONAL RELIABILITY PH... 19
  • TECHNICAL DIGEST - INTERNATIONAL ... 4
  • PROCEEDINGS OF THE INTERNATIONAL ... 2
  • PROCEEDINGS OF THE ... INTERNATIO... 1
Keyword
  • degradation 93
  • reliability 90
  • Gallium Nitride 71
  • HEMT 58
  • light emitting diodes 53
  • InGaN 42
  • Electrical and Electronic Enginee... 20
  • Reliability 20
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  • Electronic 14
Lingua
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Accesso al fulltext
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