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Titolo Data di pubblicazione Autori Rivista Serie Titolo libro
Time and field-dependent trapping in AlGaN/GaN E-mode transistors 2011 MENEGHINI, MATTEODE SANTI, CARLOMENEGHESSO, GAUDENZIOZANONI, ENRICO + - - 9th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-9)
Time dependent Degradation of AlGaN/GaN HEMTs 2012 MENEGHESSO, GAUDENZIOZANONI, ENRICOMENEGHINI, MATTEOSTOCCO, ANTONIOSILVESTRI, RICCARDOBERTIN, MARCORAMPAZZO, FABIANA - - -
Time-Dependent Breakdown in GaN-Based LEDs—Description and Physical Origin 2016 DE SANTI, CARLOMENEGHINI, MATTEOBUFFOLO, MATTEOMENEGHESSO, GAUDENZIOZANONI, ENRICO - - International Workshop on Nitride Semiconductors IWN2016
Time-dependent degradation of hydrogen-terminated diamond MESFETs 2022 De Santi, CNardo, AMeneghesso, GZanoni, EMeneghini, M + - PROCEEDINGS OF SPIE, THE INTERNATIONAL SOCIETY FOR OPTICAL ENGINEERING Proceedings Volume 12000, Terahertz, RF, Millimeter, and Submillimeter-Wave Technology and Applications XV
Total Suppression of Dynamic-Ron in AlGaN/GaN-HEMTs Through Proton Irradiation 2017 Meneghini, MTajalli, AGerardin, SBagatin, MPaccagnella, AZanoni, EMeneghesso, G + - - IEEE International Electron Devices Meeting
Towards high reliability GaN LEDs: Understanding the physical origin of gradual and catastrophic failure 2015 MENEGHINI, MATTEODE SANTI, CARLOBUFFOLO, MATTEOMENEGHESSO, GAUDENZIOZANONI, ENRICO + - - Proc. of 12th China International Forum on Solid State Lighting, SSLCHINA 2015
Towards low-trapping GaN-on-silicon material system for 1200 V applications 2018 A. TajalliM. MeneghiniG. MeneghessoE. Zanoni + - - Proceedings of the European Materials Research Society Fall Meeting 2018
Transconductance overshoot as a signature of trapping effects at backbarrier interface of GaN HEMTs : dependence on device epitaxial structure 2023 Zhan GaoFrancesco De PieriCarlo De SantiFabiana RampazzoMatteo MeneghiniGaudenzio MeneghessoEnrico Zanoni + - - Proceedings of ICNS-14
Transient Performance, Breakdown And Degradation Of Power Transistors GaN On Si Technology 2013 MENEGHINI, MATTEOBISI, DAVIDEMENEGHESSO, GAUDENZIOZANONI, ENRICO + - - 45th annual meeting of the Associazione Gruppo Italiano di Elettronica
Trap characterization of AlGaN/GaN HEMTs through drain current measurements under pulsed-RF large-signal excitation 2015 MENEGHINI, MATTEOMENEGHESSO, GAUDENZIOZANONI, ENRICO + - - Proc. of IEEE MTT-S International Microwave Symposium, IMS 2015
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Tipologia
  • 04 CONTRIBUTO IN ATTO DI CONVEGNO 448
  • 04 CONTRIBUTO IN ATTO DI CONVEGNO... 428
  • 04 CONTRIBUTO IN ATTO DI CONVEGNO... 20
Autore
  • MENEGHESSO, GAUDENZIO 429
  • ZANONI, ENRICO 418
  • DE SANTI, CARLO 205
  • TRIVELLIN, NICOLA 94
  • BUFFOLO, MATTEO 84
  • RAMPAZZO, FABIANA 53
  • STOCCO, ANTONIO 41
  • CARIA, ALESSANDRO 32
  • ROSSETTO, ISABELLA 31
  • BISI, DAVIDE 30
Data di pubblicazione
  • 2020 - 2023 112
  • 2010 - 2019 286
  • 2004 - 2009 50
Editore
  • Institute of Electrical and Elect... 35
  • SPIE 35
  • SPIE-INT SOC OPTICAL ENGINEERING 18
  • IEEE 16
  • IEEE Institute of Electrical and ... 4
  • IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ... 3
  • IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ... 3
  • IEEE / Institute of Electrical an... 2
  • IEEE Computer Society 2
  • Optica publishing group 2
Rivista
  • PROCEEDINGS OF SPIE, THE INTERNAT... 10
  • IEEE INTERNATIONAL RELIABILITY PH... 5
  • PROCEEDINGS OF THE EUROPEAN SOLID... 4
  • AIP CONFERENCE PROCEEDINGS 2
  • IEEE MTT-S INTERNATIONAL MICROWAV... 1
  • PROCEEDINGS OF THE INTERNATIONAL ... 1
Serie
  • PROCEEDINGS OF SPIE, THE INTERNAT... 33
  • IEEE INTERNATIONAL RELIABILITY PH... 19
  • TECHNICAL DIGEST - INTERNATIONAL ... 4
  • PROCEEDINGS OF THE INTERNATIONAL ... 2
  • PROCEEDINGS OF THE ... INTERNATIO... 1
Keyword
  • degradation 93
  • reliability 90
  • Gallium Nitride 71
  • HEMT 58
  • light emitting diodes 53
  • InGaN 42
  • Electrical and Electronic Enginee... 20
  • Reliability 20
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Lingua
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Accesso al fulltext
  • no fulltext 447
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