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NOTA: è possibile cercare una corrispondenza esatta usando i doppi apici, ad es: "evoluzione della specie". Qualora si cerchi un identificativo, è consigliabile cercarlo in due modi differenti: tra apici con caratteri speciali es: "978-94-6366-274" oppure senza caratteri speciali solo come sequenza numerica: es 978946366274.
Trap-assisted tunneling contributions to subthreshold forward current in InGaN/GaN light-emitting diodes
2015 Mandurrino, M.; Goano, M.; Dominici, S.; Vallone, M.; Bertazzi, F.; Ghione, G.; Bernabei, M.; Rovati, L.; Verzellesi, G.; Meneghini, Matteo; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico
Trap-assisted tunneling in InGaN/GaN LEDs: Experiments and physics-based simulation
2014 M., Mandurrino; G., Verzellesi; M., Goano; M. E., Vallone; F., Bertazzi; G., Ghione; Meneghini, Matteo; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico
Trap-Related Effects in 6H-SiC Buried-Gate JFET's
2001 Meneghesso, Gaudenzio; Chini, Alessandro; Zanoni, Enrico; G., Verzellesi; E., Tediosi; C., Canali; A., Cavallini; A., Castaldini
Trapping and High Electric Field Parasitic and Degradation phenomena in AlGaN/GaN power HEMTs
2012 Meneghesso, Gaudenzio; Meneghini, Matteo; Zanoni, Enrico
Trapping and high field related issues in GaN power HEMTs
2014 Meneghesso, Gaudenzio; Meneghini, Matteo; Alessandro, Chini; Giovanni, Verzellesi; Zanoni, Enrico
Trapping and high-field characterization in Recessed-Gate AlGaN/GaN-on-Silicon HEMT
2010 Meneghesso, Gaudenzio; Ronchi, Nicolo'; Stocco, Antonio; Zanoni, Enrico; E., Piner; S., Tirelli; A. R., Alt; C. R., Bolognesi
Trapping and reliability of wide bandgap devices
2022 DE SANTI, Carlo; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Meneghini, Matteo
Trapping in Al2O3/GaN MOScaps investigated by fast capacitive techniques
2023 Fregolent, M; Marcuzzi, A; De Santi, C; Treidel, Eb; Meneghesso, G; Zanoni, E; Meneghini, M
Trapping induced parasitic effects in GaN-HEMT for power switching applications
2015 Meneghesso, Gaudenzio; Meneghini, Matteo; Zanoni, Enrico; Vanmeerbeek, Piet; Moens, Peter
Trapping processes and band discontinuities in Ga2O3FinFETs investigated by dynamic characterization and optically-assisted measurements
2021 De Santi, C.; Fabris, E.; Caria, A.; Buffolo, M.; Li, W.; Nomoto, K.; Hu, Z.; Jena, D.; Xing, H. G.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
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- 04 CONTRIBUTO IN ATTO DI CONVEGNO 570
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Data di pubblicazione
- 2020 - 2023 103
- 2010 - 2019 270
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- 1990 - 1999 52
- 1981 - 1989 13
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Serie
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- HEMT 137
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