CHIOCCHETTA, FRANCESCA
CHIOCCHETTA, FRANCESCA
Università di Padova
Characterization of charge trapping mechanisms in GaN vertical Fin FETs under positive gate bias
2019 Ruzzarin, M.; De Santi, C.; Chiocchetta, F.; Sun, M.; Palacios, T.; Zanoni, E.; Meneghesso, G.; Meneghini, M.
Charge trapping in 0.1 μm AlGaN/GaN RF HEMTs: Dependence on barrier properties, voltage and temperature
2021 Chiocchetta, F.; De Santi, C.; Rampazzo, F.; Meneghini, M.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Degradation mechanism of 0.15 μm AlGaN/GaN HEMTs: effects of hot electrons
2020 Gao, Z.; Rampazzo, F.; Meneghini, M.; De Santi, C.; Chiocchetta, F.; Marcon, D.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Review on the degradation of GaN-based lateral power transistors
2021 De Santi, C.; Buffolo, M.; Rossetto, I.; Bordignon, T.; Brusaterra, E.; Caria, A.; Chiocchetta, F.; Favero, D.; Fregolent, M.; Masin, F.; Modolo, N.; Nardo, A.; Piva, F.; Rampazzo, F.; Sharma, C.; Trivellin, N.; Gao, Z.; Meneghini, M.; Zanoni, E.; Meneghesso, G.
Short term reliability and robustness of ultra-thin barrier, 110 nm-gate AlN/GaN HEMTs
2021 Gao, Z. H.; Meneghini, M.; Harrouche, K.; Kabouche, R.; Chiocchetta, F.; Okada, E.; Rampazzo, F.; De Santi, C.; Medjdoub, F.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.