MASIN, FABRIZIO
MASIN, FABRIZIO
Dipartimento di Ingegneria dell'Informazione - DEI
Gate Conduction Mechanisms and Lifetime Modeling of p-Gate AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors
2018 Stockman, Arno; Masin, Fabrizio; Meneghini, Matteo; Zanoni, Enrico; Meneghesso, Gaudenzio; Bakeroot, Benoit; Moens, Peter
Conduction mechanisms in p-Gate AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors
2018 Stockman, A.; Masin, F.; Meneghini, M.; Moens, P.; Bakeroot, B.
Reliability Issues in Lateral and Vertical GaN FETs for Power Electronics
2018 Meneghesso, G.; Meneghini, M.; De Santi, C.; Barbato, A.; Barbato, M.; Borga, M.; Canato, E.; Fabris, E.; Masin, F.; Ruzzarin, M.; Tajalli, A.; Zanoni, E.
Range Evaluation of Threshold Voltage Instabilities of GaN-on-Si HEMTs with p-GaN Gate
2019 Canato, E.; Masin, F.; Borga, M.; Zanoni, E.; Meneghini, M.; Meneghesso, G.; Stockman, A.; Banerjee, A.; Moens, P.
Positive temperature dependence of time-dependent breakdown of GaN-on-Si E-mode HEMTs under positive gate stress
2019 Masin, Fabrizio; Meneghini, M.; Canato, E.; De Santi, C.; Stockman, A.; Zanoni, E.; Moens, P.; Meneghesso, G.
Degradation physics of GaN-based lateral and vertical devices
2019 Meneghini, M.; De Santi, C.; Barbato, A.; Borga, M.; Canato, E.; Chiocchetta, Francesca; Fabris, E.; Masin, F.; Nardo, A.; Rampazzo, F.; Ruzzarin, M.; Tajalli, A.; Barbato, M.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
ESD-failure of E-mode GaN HEMTs: Role of device geometry and charge trapping
2019 Canato, E.; Meneghini, M.; Nardo, A.; Masin, F.; Barbato, A.; Barbato, M.; Stockman, A.; Banerjee, A.; Moens, P.; Zanoni, E.; Meneghesso, G.
Degradation of GaN-Based Lateral and Vertical Devices—Challenges and Perspectives
2019 Meneghini, Matteo; DE SANTI, Carlo; Barbato, Alessandro; Borga, Matteo; Canato, Eleonora; Chiocchetta, Francesca; Fabris, Elena; Gao, Zhan; Masin, Fabrizio; Mukherjee, Kalparupa; Nardo, Arianna; Rampazzo, Fabiana; Ruzzarin, Maria; Rzin, Mehdi; Tajalli, Alaleh; Barbato, Marco; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico
Reliability and Dynamic Performance of Gallium Nitride-based Devices for Power Applications
2019 De Santi, C.; Meneghini, M.; Barbato, A.; Borga, M.; Canato, E.; Chiocchetta, F.; Fabris, E.; Gao, Z.; Masin, F.; Mukherjee, K.; Nardo, A.; Ruzzarin, M.; Rzin, M.; Tajalli, A.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
OFF-state trapping phenomena in GaN HEMTs: Interplay between gate trapping, acceptor ionization and positive charge redistribution
2020 Canato, E.; Meneghini, M.; De Santi, C.; Masin, F.; Stockman, A.; Moens, P.; Zanoni, E.; Meneghesso, G.
Charge Trapping and Stability of E-Mode p-gate GaN HEMTs Under Soft- and Hard- Switching Conditions
2020 Masin, F.; Meneghini, M.; Canato, E.; Barbato, A.; De Santi, C.; Stockman, A.; Banerjee, A.; Moens, P.; Zanoni, E.; Meneghesso, G.
Non-monotonic threshold voltage variation in 4H-SiC metal-oxide-semiconductor field-effect transistor: Investigation and modeling
2021 Masin, F.; De Santi, C.; Lettens, J.; Franchi, J.; Domeij, M.; Moens, P.; Meneghini, M.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Review on the degradation of GaN-based lateral power transistors
2021 De Santi, C.; Buffolo, M.; Rossetto, I.; Bordignon, T.; Brusaterra, E.; Caria, A.; Chiocchetta, F.; Favero, D.; Fregolent, M.; Masin, F.; Modolo, N.; Nardo, A.; Piva, F.; Rampazzo, F.; Sharma, C.; Trivellin, N.; Gao, Z.; Meneghini, M.; Zanoni, E.; Meneghesso, G.
Analysis and Modeling of VthShift in 4H-SiC MOSFETs at Room and Cryogenic-Temperature
2022 Masin, F.; De Santi, C.; Stockman, A.; Lettens, J.; Geenen, F.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Moens, P.; Meneghini, M.
Cryogenic Ultra-Fast Bias Temperature Instability Trap Profiling of SiC MOSFETs
2022 Geenen, F.; Masin, F.; Stockman, A.; De Santi, C.; Lettens, J.; Waldhoer, D.; Meneghini, M.; Grasser, T.; Moens, P.