FAVERO, DAVIDE
FAVERO, DAVIDE
Università di Padova
Impact of doping and geometry on breakdown voltage of semi-vertical GaN-on-Si MOS capacitors
2022 Favero, D.; De Santi, C.; Mukherjee, K.; Borga, M.; Geens, K.; Chatterjee, U.; Bakeroot, B.; Decoutere, S.; Rampazzo, F.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Influence of Drain and Gate Potential on Gate Failure in Semi-Vertical GaN-on-Si Trench MOSFETs
2022 Favero, D.; De Santi, C.; Mukherjee, K.; Geens, K.; Borga, M.; Bakeroot, B.; You, S.; Decoutere, S.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Review on the degradation of GaN-based lateral power transistors
2021 De Santi, C.; Buffolo, M.; Rossetto, I.; Bordignon, T.; Brusaterra, E.; Caria, A.; Chiocchetta, F.; Favero, D.; Fregolent, M.; Masin, F.; Modolo, N.; Nardo, A.; Piva, F.; Rampazzo, F.; Sharma, C.; Trivellin, N.; Gao, Z.; Meneghini, M.; Zanoni, E.; Meneghesso, G.
| Titolo | Data di pubblicazione | Autori | Rivista | Serie | Titolo libro |
|---|---|---|---|---|---|
| Impact of doping and geometry on breakdown voltage of semi-vertical GaN-on-Si MOS capacitors | 2022 | D. FaveroC. De SantiK. MukherjeeF. RampazzoG. MeneghessoE. ZanoniM. Meneghini + | MICROELECTRONICS RELIABILITY | - | - |
| Influence of Drain and Gate Potential on Gate Failure in Semi-Vertical GaN-on-Si Trench MOSFETs | 2022 | Favero D.De Santi C.Meneghesso G.Zanoni E.Meneghini M. + | - | IEEE INTERNATIONAL RELIABILITY PHYSICS SYMPOSIUM PROCEEDINGS | Proceedings of 2022 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS) |
| Review on the degradation of GaN-based lateral power transistors | 2021 | De Santi, C.Buffolo, M.Caria, A.Chiocchetta, F.Favero, D.Fregolent, M.Masin, F.Modolo, N.Nardo, A.Piva, F.Rampazzo, F.Trivellin, N.Gao, Z.Meneghini, M.Zanoni, E.Meneghesso, G. + | E-PRIME, ADVANCES IN ELECTRICAL ENGINEERING, ELECTRONICS AND ENERGY | - | - |