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Titolo Data di pubblicazione Autori Rivista Serie Titolo libro
Analysis of the deep level responsible for the degradation of InGaN-based laser diodes by DLTS 2012 MENEGHINI, MATTEODE SANTI, CARLOTRIVELLIN, NICOLAMENEGHESSO, GAUDENZIOZANONI, ENRICO + - - Proceedings of SPIE
Analysis of the deep levels related to non-radiative recombination in GaN-on-Si LEDs: a study based on deep level transient spectroscopy 2014 MENEGHINI, MATTEOLA GRASSA, MARCOVACCARI, SIMONETRIVELLIN, NICOLAMENEGHESSO, GAUDENZIOZANONI, ENRICO + - - Proc. of the International Workshop on Nitride Semiconductors IWN-2014
Analysis of the degradation of AlGaN-based deep-ultraviolet LEDs 2009 MENEGHESSO, GAUDENZIOMENEGHINI, MATTEOTRIVELLIN, NICOLAZANONI, ENRICO + - - -
Analysis of the Degradation of Blu-Ray Laser Diodes 2008 TRIVELLIN, NICOLAMENEGHINI, MATTEOMENEGHESSO, GAUDENZIOTREVISANELLO, LORENZO ROBERTOZANONI, ENRICO + - - -
Analysis of the Diffusion Involved in the Degradation of InGaN-Based Laser Diodes 2009 MENEGHINI, MATTEOTRIVELLIN, NICOLATREVISANELLO, LORENZO ROBERTOZANONI, ENRICOMENEGHESSO, GAUDENZIO + - - -
Analysis of the drain-to-substrate leakage of power HEMTs grown on highly resistive silicon substrate 2018 M. BorgaM. MeneghiniG. MeneghessoE. Zanoni + - - Proceedings of the GaN Marathon 2.0
Analysis of the mechanisms limiting the reliability of retrofit LED lamps 2015 DE SANTI, CARLODAL LAGO, MATTEOBUFFOLO, MATTEOMENEGHINI, MATTEOMENEGHESSO, GAUDENZIOZANONI, ENRICO - - 2015 IEEE 1st International Forum on Research and Technologies for Society and Industry, RTSI 2015 - Proceedings
Analysis of the physical mechanisms responsible for leakage current and reverse-bias luminescence in green LEDs 2009 MENEGHINI, MATTEOTRIVELLIN, NICOLAMENEGHESSO, GAUDENZIOZANONI, ENRICO + - - -
Analysis of the role of current in the degradation of InGaN-based laser diodes 2008 MENEGHINI, MATTEOTRIVELLIN, NICOLAMENEGHESSO, GAUDENZIOTREVISANELLO, LORENZO ROBERTOZANONI, ENRICO + - - -
Analysis of trapping and detrapping mechanisms in 0.15 μm-gate AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors: explanation of dynamic behaviour of threshold voltage and on-resistance 2023 Francesco De PieriMirko FornasierZhan GaoFabiana RampazzoCarlo De SantiMatteo MeneghiniGaudenzio MeneghessoEnrico Zanoni - - Proceedings of ICNS-14
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Tipologia
  • 04 CONTRIBUTO IN ATTO DI CONVEGNO 448
  • 04 CONTRIBUTO IN ATTO DI CONVEGNO... 428
  • 04 CONTRIBUTO IN ATTO DI CONVEGNO... 20
Autore
  • MENEGHESSO, GAUDENZIO 429
  • ZANONI, ENRICO 418
  • DE SANTI, CARLO 205
  • TRIVELLIN, NICOLA 94
  • BUFFOLO, MATTEO 84
  • RAMPAZZO, FABIANA 53
  • STOCCO, ANTONIO 41
  • CARIA, ALESSANDRO 32
  • ROSSETTO, ISABELLA 31
  • BISI, DAVIDE 30
Data di pubblicazione
  • 2020 - 2023 112
  • 2010 - 2019 286
  • 2004 - 2009 50
Editore
  • Institute of Electrical and Elect... 35
  • SPIE 35
  • SPIE-INT SOC OPTICAL ENGINEERING 18
  • IEEE 16
  • IEEE Institute of Electrical and ... 4
  • IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ... 3
  • IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ... 3
  • IEEE / Institute of Electrical an... 2
  • IEEE Computer Society 2
  • Optica publishing group 2
Rivista
  • PROCEEDINGS OF SPIE, THE INTERNAT... 10
  • IEEE INTERNATIONAL RELIABILITY PH... 5
  • PROCEEDINGS OF THE EUROPEAN SOLID... 4
  • AIP CONFERENCE PROCEEDINGS 2
  • IEEE MTT-S INTERNATIONAL MICROWAV... 1
  • PROCEEDINGS OF THE INTERNATIONAL ... 1
Serie
  • PROCEEDINGS OF SPIE, THE INTERNAT... 33
  • IEEE INTERNATIONAL RELIABILITY PH... 19
  • TECHNICAL DIGEST - INTERNATIONAL ... 4
  • PROCEEDINGS OF THE INTERNATIONAL ... 2
  • PROCEEDINGS OF THE ... INTERNATIO... 1
Keyword
  • degradation 93
  • reliability 90
  • Gallium Nitride 71
  • HEMT 58
  • light emitting diodes 53
  • InGaN 42
  • Electrical and Electronic Enginee... 20
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Accesso al fulltext
  • no fulltext 447
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