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NOTA: è possibile cercare una corrispondenza esatta usando i doppi apici, ad es: "evoluzione della specie". Qualora si cerchi un identificativo, è consigliabile cercarlo in due modi differenti: tra apici con caratteri speciali es: "978-94-6366-274" oppure senza caratteri speciali solo come sequenza numerica: es 978946366274.
Avalanche capability and recoverable breakdown walkout in polarization-doped vertical GaN pn diodes
2019 Fabris, E.; De Santi, C.; Caria, A.; Nomoto, K.; Hu, Z.; Li, W.; Gao, X.; Jena, D.; Xing, H. G.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Breakdown and high field related effects in GaN power HEMTs
2013 Meneghesso, Gaudenzio; Meneghini, Matteo; Zanoni, Enrico
Breakdown investigation in GaN-based MIS-HEMT devices
2014 Marino, FABIO ALESSIO; Bisi, Davide; Meneghini, Matteo; Giovanni, Verzellesi; Zanoni, Enrico; Marleen Van, Hove; Shuzhen, You; Stefaan, Decoutere; Denis, Marcon; Steve, Stoffels; Nicolo, Ronchi; Meneghesso, Gaudenzio
Buffer-induced vertical leakage and charge trapping in normally-off GaN-on-Si HEMTs
2017 Borga, M.; Meneghini, M.; Rossetto, I.; Silvestri, M.; Haeberlen, O.; Detzel, T.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Carbon-related pBTI degradation mechanisms in GaN-on-Si E-mode MOSc-HEMT
2020 Viey, A. G.; Vandendaele, W.; Jaud, M. -A.; Gerrer, L.; Garros, X.; Cluzel, J.; Martin, S.; Krakovinsky, A.; Biscarrat, J.; Gwoziecki, R.; Plissonnier, M.; Gaillard, F.; Modica, R.; Iucolano, F.; Meneghini, M.; Meneghesso, G.; Ghibaudo, G.
Carrier capture efficiency in InGaN/GaN LEDs: role of high temperature annealing
2014 A., Vinattieri; F., Batignani; F., Bogani; Meneghini, Matteo; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; D., Zhu; C. J., Humphreys
Carrier generation and recombination dynamics and reliability of InGaN-based photodetectors for high power densities
2017 De Santi, C.; Meneghini, M.; Caria, A.; Dogmus, E.; Zegaoui, M.; Medjdoub, F.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Challenges for highly reliable GaN-based LEDs
2019 Zanoni, E.; De Santi, C.; Trivellin, N.; Renso, N.; Buffolo, M.; Monti, D.; Caria, A.; Piva, F.; Meneghesso, G.; Meneghini, M.
Challenges towards highly reliable GaN power transistors
2018 Meneghini, M.; Barbato, A.; Borga, M.; Canato, E.; De Santi, C.; Fabris, E.; Rampazzo, F.; Tajalli, A.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Challenges towards the simulation of GaN-based LEDs beyond the semiclassical framework
2016 Goano, M.; Bertazzi, F.; Zhou, X.; Mandurrino, M.; Dominici, S.; Vallone, M.; Ghione, G.; Tibaldi, A.; Calciati, M.; Debernardi, P.; Dolcini, F.; Rossi, F.; Verzellesi, G.; Meneghini, M.; Trivellin, N.; De Santi, C.; Zanoni, E.; Bellotti, E.
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