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NOTA: è possibile cercare una corrispondenza esatta usando i doppi apici, ad es: "evoluzione della specie". Qualora si cerchi un identificativo, è consigliabile cercarlo in due modi differenti: tra apici con caratteri speciali es: "978-94-6366-274" oppure senza caratteri speciali solo come sequenza numerica: es 978946366274.
Trapping and reliability of wide bandgap devices
2022 DE SANTI, Carlo; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Meneghini, Matteo
Trapping in Al2O3/GaN MOScaps investigated by fast capacitive techniques
2023 Fregolent, M; Marcuzzi, A; De Santi, C; Treidel, Eb; Meneghesso, G; Zanoni, E; Meneghini, M
Trapping induced parasitic effects in GaN-HEMT for power switching applications
2015 Meneghesso, Gaudenzio; Meneghini, Matteo; Zanoni, Enrico; Vanmeerbeek, Piet; Moens, Peter
Trapping processes and band discontinuities in Ga2O3FinFETs investigated by dynamic characterization and optically-assisted measurements
2021 De Santi, C.; Fabris, E.; Caria, A.; Buffolo, M.; Li, W.; Nomoto, K.; Hu, Z.; Jena, D.; Xing, H. G.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Trapping processes related to iron and carbon doping in AlGaN/GaN power HEMTs
2015 Meneghini, Matteo; Bisi, Davide; Rossetto, Isabella; DE SANTI, Carlo; Stocco, Antonio; Hilt, O.; Bahat Treidel, E.; Wuerfl, J.; Rampazzo, Fabiana; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico
Traps characterization in AlGaN/GaN HEMTs by means of Drain Current Transient Measurements
2012 F., Soci; A., Chini; F., Fantini; A., Nanni; A., Pantellini; C., Lanzieri; Bisi, Davide; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico
Traps characterization in Si-doped GaN/AlGaN/GaN HEMT on SiC by means of low frequency techniques
2005 Sozza, Alberto; C., Dua; N., Sarazin; E., Morvan; S. L., Delage; Rampazzo, Fabiana; Tazzoli, Augusto; Danesin, Francesca; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; A., Curutchet; N., Malbert; N., Labat
Traps related effects in SiC and GaN-based devices
2001 Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico
Two-Dimensional Numerical Simulation of Deep Level Effect in 6H-SiC Buried-Gate JFETs
2001 G., Verzellesi; Meneghesso, Gaudenzio; A., Cavallini; Zanoni, Enrico; C., Canali
Unpassivated GaN/AlGaN/GaN HEMTs with very low DC to RF drain current dispersion
2004 Pierobon, Roberto; Rampazzo, Fabiana; Corradini, Luca; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; J., Bernt; M. MARSO AND P., Kordos
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Tipologia
- 04 CONTRIBUTO IN ATTO DI CONVEGNO 594
- 04 CONTRIBUTO IN ATTO DI CONVEGNO... 570
- 04 CONTRIBUTO IN ATTO DI CONVEGNO... 24
Data di pubblicazione
- 2020 - 2023 103
- 2010 - 2019 290
- 2000 - 2009 133
- 1990 - 1999 54
- 1981 - 1989 14
Editore
- SPIE 32
- Institute of Electrical and Elect... 29
- IEEE 21
- SPIE-INT SOC OPTICAL ENGINEERING 18
- IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ... 7
- IEEE Institute of Electrical and ... 4
- Gaudenzio Meneghesso 3
- IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ... 3
- Institute of Physics Publishing 3
- EDITRICE COMPOSITORI BOLOGNA 2
Rivista
- PROCEEDINGS OF SPIE, THE INTERNAT... 9
- IEEE INTERNATIONAL RELIABILITY PH... 5
- INSTITUTE OF PHYSICS CONFERENCE S... 3
- PROCEEDINGS OF THE EUROPEAN SOLID... 3
- AIP CONFERENCE PROCEEDINGS 2
- IEEE MTT-S INTERNATIONAL MICROWAV... 1
- PROCEEDINGS OF THE INTERNATIONAL ... 1
Serie
- PROCEEDINGS OF SPIE, THE INTERNAT... 32
- IEEE INTERNATIONAL RELIABILITY PH... 18
- TECHNICAL DIGEST - INTERNATIONAL ... 3
- PROCEEDINGS OF THE ... INTERNATIO... 1
Keyword
- reliability 143
- HEMT 137
- Gallium Nitride 129
- degradation 127
- light emitting diodes 64
- Charge Trapping 61
- InGaN 50
- Gallium Arsenide 24
- Reliability 20
- Electrical and Electronic Enginee... 18
Lingua
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