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Vertical leakage in GaN-on-Si stacks investigated by a buffer decomposition experiment
2020 Tajalli, A.; Borga, M.; Meneghini, M.; Santi, C. D.; Benazzi, D.; Besendorfer, S.; Pusche, R.; Derluyn, J.; Degroote, S.; Germain, M.; Kabouche, R.; Abid, I.; Meissner, E.; Zanoni, E.; Medjdoub, F.; Meneghesso, G.
Vertical breakdown of GaN on Si due to V-pits
2020 Besendorfer, S.; Meissner, E.; Tajalli, A.; Meneghini, M.; Freitas, J. A.; Derluyn, J.; Medjdoub, F.; Meneghesso, G.; Friedrich, J.; Erlbacher, T.
High breakdown voltage and low buffer trapping in superlattice gan-on-silicon heterostructures for high voltage applications
2020 Tajalli, A.; Meneghini, M.; Besendorfer, S.; Kabouche, R.; Abid, I.; Pusche, R.; Derluyn, J.; Degroote, S.; Germain, M.; Meissner, E.; Zanoni, E.; Medjdoub, F.; Meneghesso, G.
Degradation physics of GaN-based lateral and vertical devices
2019 Meneghini, M.; De Santi, C.; Barbato, A.; Borga, M.; Canato, E.; Chiocchetta, Francesca; Fabris, E.; Masin, F.; Nardo, A.; Rampazzo, F.; Ruzzarin, M.; Tajalli, A.; Barbato, M.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Reliability and Dynamic Performance of Gallium Nitride-based Devices for Power Applications
2019 De Santi, C.; Meneghini, M.; Barbato, A.; Borga, M.; Canato, E.; Chiocchetta, F.; Fabris, E.; Gao, Z.; Masin, F.; Mukherjee, K.; Nardo, A.; Ruzzarin, M.; Rzin, M.; Tajalli, A.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Superlattice GaN-on-silicon heterostructures with low trapping in 1200 V
2019 Tajalli, A; Meneghini, M; Kabouche, R; Abid, I; Zegaoui, M; Püsche, R; Derluyn, J; Degroote, S; Germain, M; Medjdoub, F; Meneghesso, G
Degradation of GaN-Based Lateral and Vertical Devices—Challenges and Perspectives
2019 Meneghini, Matteo; DE SANTI, Carlo; Barbato, Alessandro; Borga, Matteo; Canato, Eleonora; Chiocchetta, Francesca; Fabris, Elena; Gao, Zhan; Masin, Fabrizio; Mukherjee, Kalparupa; Nardo, Arianna; Rampazzo, Fabiana; Ruzzarin, Maria; Rzin, Mehdi; Tajalli, Alaleh; Barbato, Marco; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico
The Effect of Proton Irradiation in Suppressing Current Collapse in AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors
2019 Stockman, A.; Tajalli, A.; Meneghini, M.; Uren, M. J.; Mouhoubi, S.; Gerardin, S.; Bagatin, M.; Paccagnella, A.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Moens, P.; Bakeroot, B.
Low On-Resistance and Low Trapping Effects in 1200 V Superlattice GaN-on-Silicon Heterostructures
2019 Kabouche, R.; Abid, I.; Pusche, R.; Derluyn, J.; Degroote, S.; Germain, M.; Tajalli, A.; Meneghini, M.; Meneghesso, G.; Medjdoub, F.
Characterization and Study of Reliability Aspects in GaN High ElectronMobility Transistors
2018 Tajalli, Alaleh
On the origin of the leakage current in p-gate AlGaN/GaN HEMTs
2018 Stockman, A.; Canato, Eleonora; Tajalli, A.; Meneghini, M.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Moens, P.; Bakeroot, B.
Impact of sidewall etching on the dynamic performance of GaN-on-Si E-mode transistors
2018 Tajalli, A.; Canato, E.; Nardo, Arianna; Meneghini, M.; Stockman, A.; Moens, P.; Zanoni, E.; Meneghesso, G.
Trapping phenomena and degradation mechanisms in GaN-based power HEMTs
2018 Meneghini, Matteo; Tajalli, Alaleh; Moens, Peter; Banerjee, Abhishek; Zanoni, Enrico; Meneghesso, Gaudenzio
Recent Advancements in Power GaN Reliability
2018 De Santi, C.; Meneghini, M.; Borga, M.; Ruzzarin, M.; Canato, E.; Tajalli, A.; Barbato, A.; Fabris, E.; Zanoni, E.; Meneghesso, G.
Reliability Issues in Lateral and Vertical GaN FETs for Power Electronics
2018 Meneghesso, G.; Meneghini, M.; De Santi, C.; Barbato, A.; Barbato, M.; Borga, M.; Canato, E.; Fabris, E.; Masin, F.; Ruzzarin, M.; Tajalli, A.; Zanoni, E.
Challenges towards highly reliable GaN power transistors
2018 Meneghini, M.; Barbato, A.; Borga, M.; Canato, E.; De Santi, C.; Fabris, E.; Rampazzo, F.; Tajalli, A.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
High voltage GaN on si with low trapping up to 1200V
2018 Tajalli, A.; Abid, I.; Kabouche, R.; Zegaoui, M.; Meneghini, M.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Nishikawa, A.; Medjdoub, F.
Gallium Nitride power devices: challenges and perspectives
2018 Meneghini, M.; Barbato, A.; Borga, M.; Canato, E.; De Santi, C.; Fabris, E.; Rampazzo, F.; Ruzzarin, M.; Tajalli, A.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Towards low-trapping GaN-on-silicon material system for 1200 V applications
2018 Tajalli, A.; Abid, I.; Kabouche, R.; Zegaoui, M.; Meneghini, M.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Nishikawa, A.; Medjdoub, F.
Dynamic-ron control via proton irradiation in AlGaN/GaN transistors
2018 Tajalli, Alaleh; Stockman, A.; Meneghini, M.; Mouhoubi, S.; Banerjee, A.; Gerardin, S.; Bagatin, M.; Paccagnella, A.; Zanoni, E.; Tack, M.; Bakeroot, B.; Moens, P.; Meneghesso, G.
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