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NOTA: è possibile cercare una corrispondenza esatta usando i doppi apici, ad es: "evoluzione della specie". Qualora si cerchi un identificativo, è consigliabile cercarlo in due modi differenti: tra apici con caratteri speciali es: "978-94-6366-274" oppure senza caratteri speciali solo come sequenza numerica: es 978946366274.
"Reliability of PtSi-Ti/W-Al Metallization System used in Bipolar Logics"19th International Reliability Physics Symposium
1981 Claudio, Canali; Fausto, Fantini; Giuseppe, Queirolo; Zanoni, Enrico
24 Hours Stress Test and Failure Analysis of 0.25 μm AlGaN/GaN HEMTs
2018 Rzin, M.; Rampazzo, F.; Meneghini, M.; Grünenpütt, J.; Jung, H.; Lambert, B.; Riepe, K.; Blanck, H.; Graff, A.; Altmann, F.; Simon-Najasek, M.; Poppitz, D.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
A CMOS 0.8um Programmable Charge Pump for the Output Stage of an Impantable Pacemaker
2000 Novo, A; Gerosa, Andrea; Neviani, Andrea; Mozzi, A; Zanoni, Enrico
A compact method for measuring parasitic resistances in bipolar transistors
1993 G., Verzellesi; A., Chantre; R., Turetta; M., Cappellin; P., Pavan; Zanoni, Enrico
A comprehensive reliability evaluation of high-performance AlGaN/GaN HEMTs for space applications
2016 DE SANTI, Carlo; Dalcanale, Stefano; Stocco, Antonio; Rampazzo, Fabiana; Gerardin, Simone; Meneghini, Matteo; Meneghesso, Gaudenzio; Chini, Alessandro; Verzellesi, Giovanni; Grünenpütt, Jan; Lambert, Benoit; Schauwecker, Bernd; Blanck, Hervé; Barnes, Andrew; Zanoni, Enrico
A Generalized Approach to Determine the Switching Reliability of GaN HEMTs on-Wafer Level
2021 Modolo, N.; Minetto, A.; De Santi, C.; Sayadi, L.; Sicre, S.; Prechtl, G.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
A new degradation mechanism induced by DX-center in AlGaAs/InGaAs PM-HEMT's
1994 Zanoni, Enrico; E., De Bortoli; Meneghesso, Gaudenzio; Neviani, Andrea; L., Vendrame; A. Paccagnella C., Canali
A new experimental technique for extracting base resistance and characterizing current crowding phenomena in bipolar transistorsInternational Technical Digest on Electron Devices Meeting
1992 Verzellesi, Vendrame; Turetta, Pavan; Chantre, Marty; Cavone, Rivoir; Zanoni, Enrico
A novel degradation mechanism of AlGaN/GaN/Silicon heterostructures related to the generation of interface traps
2012 Meneghini, Matteo; Bertin, Marco; G., dal Santo; Stocco, Antonio; A., Chini; D., Marcon; P. E., Malinowski; G., Mura; E., Musu; M., Vanzi; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico
A novel high voltage and high speed measurement system for dynamic RON measurements in GaN‐based high mobility transistors (HEMTs)
2016 Barbato, Alessandro; Rossetto, Isabella; Barbato, Marco; Meneghini, Matteo; Zanoni, Enrico; Meneghesso, Gaudenzio
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