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Power GaN HEMT degradation: From time-dependent breakdown to hot-electron effects
2019 Meneghini, M.; Barbato, A.; Borga, M.; De Santi, C.; Barbato, M.; Stoffels, S.; Zhao, M.; Posthuma, N.; Decoutere, S.; Haeberlen, O.; Detzel, T.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Range Evaluation of Threshold Voltage Instabilities of GaN-on-Si HEMTs with p-GaN Gate
2019 Canato, E.; Masin, F.; Borga, M.; Zanoni, E.; Meneghini, M.; Meneghesso, G.; Stockman, A.; Banerjee, A.; Moens, P.
Degradation of GaN-Based Lateral and Vertical Devices—Challenges and Perspectives
2019 Meneghini, Matteo; DE SANTI, Carlo; Barbato, Alessandro; Borga, Matteo; Canato, Eleonora; Chiocchetta, Francesca; Fabris, Elena; Gao, Zhan; Masin, Fabrizio; Mukherjee, Kalparupa; Nardo, Arianna; Rampazzo, Fabiana; Ruzzarin, Maria; Rzin, Mehdi; Tajalli, Alaleh; Barbato, Marco; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico
Recent Advancements in Power GaN Reliability
2018 De Santi, C.; Meneghini, M.; Borga, M.; Ruzzarin, M.; Canato, E.; Tajalli, A.; Barbato, A.; Fabris, E.; Zanoni, E.; Meneghesso, G.
Reliability Issues in Lateral and Vertical GaN FETs for Power Electronics
2018 Meneghesso, G.; Meneghini, M.; De Santi, C.; Barbato, A.; Barbato, M.; Borga, M.; Canato, E.; Fabris, E.; Masin, F.; Ruzzarin, M.; Tajalli, A.; Zanoni, E.
Analysis of the drain-to-substrate leakage of power HEMTs grown on highly resistive silicon substrate
2018 Borga, M.; Meneghini, M.; Stoffels, S.; Van Hove, M.; Li, X.; Zhao, M.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Challenges towards highly reliable GaN power transistors
2018 Meneghini, M.; Barbato, A.; Borga, M.; Canato, E.; De Santi, C.; Fabris, E.; Rampazzo, F.; Tajalli, A.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
The 2018 GaN power electronics roadmap
2018 Amano, Hiroshi; Baines, Y.; Beam, E.; Borga, Matteo; Bouchet, T.; Chalker, Paul R; Geurts, CHARLES - MICHEL LOUIS - MARIE GHISLAIN; Chen, Kevin J; Chowdhury, Nadim; Chu, Rongming; De Santi, Carlo; De Souza, Maria Merlyne; Decoutere, Stefaan; Di Cioccio, L.; Eckardt, Bernd; Egawa, Takashi; Fay, P.; Freedsman, Joseph J; Guido, L.; Häberlen, Oliver; Haynes, Geoff; Heckel, Thomas; Hemakumara, Dilini; Houston, Peter; Hu, Jie; Hua, Mengyuan; Huang, Qingyun; Huang, Alex; Jiang, Sheng; Kawai, H.; Kinzer, Dan; Kuball, Martin; Kumar, Ashwani; Lee, Kean Boon; Li, Xu; Marcon, Denis; März, Martin; Mccarthy, R.; Meneghesso, Gaudenzio; Meneghini, Matteo; Morvan, E.; Nakajima, A.; Narayanan, E. M. S.; Oliver, Stephen; Palacios, Tomás; Piedra, Daniel; Plissonnier, M.; Reddy, R.; Sun, Min; Thayne, Iain; Torres, A.; Trivellin, Nicola; Unni, V.; Uren, Michael J; Van Hove, Marleen; Wallis, David J; Wang, J.; Xie, J.; Yagi, S.; Yang, Shu; Youtsey, C.; Yu, Ruiyang; Zanoni, Enrico; Zeltner, Stefan; Zhang, Yuhao
Gallium Nitride power devices: challenges and perspectives
2018 Meneghini, M.; Barbato, A.; Borga, M.; Canato, E.; De Santi, C.; Fabris, E.; Rampazzo, F.; Ruzzarin, M.; Tajalli, A.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Impact of Substrate Resistivity on the Vertical Leakage, Breakdown, and Trapping in GaN-on-Si E-Mode HEMTs
2018 Borga, Matteo; Meneghini, Matteo; Stoffels, Steve; Li, Xiangdong; Posthuma, Niels; Van Hove, Marleen; Decoutere, Stefaan; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico
Impact of the substrate and buffer design on the performance of GaN on Si power HEMTs
2018 Borga, M.; Meneghini, M.; Stoffels, S.; Van Hove, M.; Zhao, M.; Li, X.; Decoutere, S.; Zanoni, E.; Meneghesso, G.
Evaluation of novel carrier substrates for high reliability and integrated GaN devices in a 200 mm complementary metal-oxide semiconductor compatible process
2018 Stoffels, S.; Geens, K.; Li, X.; Wellekens, D.; You, S.; Zhao, M.; Borga, M.; Zanoni, E.; Meneghesso, G.; Meneghini, M.; Posthuma, N. E.; Van Hove, M.; Decoutere, S.
Degradation of GaN-HEMTs with p-GaN Gate: Dependence on temperature and on geometry
2017 Meneghini, Matteo; Rossetto, Isabella; Borga, Matteo; Canato, Eleonora; De Santi, Carlo; Rampazzo, Fabiana; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Stoffels, Steve; Van Hove, Marleen; Posthuma, Niels; Decoutere, Stefaan
Reliability and failure analysis in power GaN-HEMTs: An overview
2017 Meneghini, Matteo; Rossetto, Isabella; De Santi, Carlo; Rampazzo, Fabiana; Tajalli, Alaleh; Barbato, Alessandro; Ruzzarin, Maria; Borga, Matteo; Canato, Eleonora; Zanoni, Enrico; Meneghesso, Gaudenzio
Buffer-induced vertical leakage and charge trapping in normally-off GaN-on-Si HEMTs
2017 Borga, M.; Meneghini, M.; Rossetto, I.; Silvestri, M.; Haeberlen, O.; Detzel, T.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Evidence of Time-Dependent Vertical Breakdown in GaN-on-Si HEMTs
2017 Borga, Matteo; Meneghini, Matteo; Rossetto, Isabella; Stoffels, Steve; Posthuma, Niels; Van Hove, Marleen; Marcon, Denis; Decoutere, Stefaan; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico
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