RicercaInizia una nuova ricerca

NOTA: è possibile cercare una corrispondenza esatta usando i doppi apici, ad es: "evoluzione della specie". Qualora si cerchi un identificativo, è consigliabile cercarlo in due modi differenti: tra apici con caratteri speciali es: "978-94-6366-274" oppure senza caratteri speciali solo come sequenza numerica: es 978946366274.

cerca in
Risultati 31 - 40 di 570 (tempo di esecuzione: 0.262 secondi).
Titolo Data di pubblicazione Autori Rivista Serie Titolo libro
Analysis of DC and rf degradation of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors based on pulsed measurements and spectroscopic techniques 2010 ZANONI, ENRICOSTOCCO, ANTONIOMENEGHINI, MATTEORAMPAZZO, FABIANARONCHI, NICOLO'TAZZOLI, AUGUSTOMENEGHESSO, GAUDENZIO + - - 5th Space Agency - MOD Round Table Workshop on GaN Component Technologies
Analysis of defect-related optical degradation of VCSILs for photonic integrated circuits 2023 Zenari M.Buffolo M.Fornasier M.De Santi C.Meneghesso G.Zanoni E.Meneghini M. + - - Proceedings of SPIE Photonics West 2023 conference
Analysis of degradation mechanisms in UVC single QW LEDs through electrical, optical and spectral measurements 2022 F. PivaN. RoccatoM. BuffoloC. De SantiM. PilatiG. MeneghessoE. ZanoniM. Meneghini + - - Proceedings of the 2022 International Workshop on Nitride Semiconductors
Analysis of degradation processes of UV‐A light emitting diodes stressed at constant current 2016 MONTI, DESIREEMENEGHINI, MATTEODE SANTI, CARLOMENEGHESSO, GAUDENZIOZANONI, ENRICO - - Proc. of 40th WOCSDICE ‐ Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits held in Europe
Analysis of dislocation-related and point-defects in III-As layers by extensive DLTS study 2022 Zenari, MBuffolo, MDe Santi, CMeneghesso, GZanoni, EMeneghini, M + - PROCEEDINGS OF SPIE, THE INTERNATIONAL SOCIETY FOR OPTICAL ENGINEERING Proceedings Volume 11990, Nanoscale and Quantum Materials: From Synthesis and Laser Processing to Applications 2022
Analysis of efficiency-droop mechanisms in GaN-based light-emitting diodes, related technological solutions and discriminating experiments 2011 MENEGHINI, MATTEOMENEGHESSO, GAUDENZIOZANONI, ENRICO + - - 9th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-9)
Analysis of efficiency-droop mechanisms in single-quantum well InGaN/GaN light-emitting diodes 2011 MENEGHINI, MATTEOMENEGHESSO, GAUDENZIOZANONI, ENRICO + - - Proc. Of the 38th International Symposium on Compound Semiconductors – ISCS 2011
Analysis of High-Electric-Field Degradation in ALGAN/GAN HEMTs 2007 RAMPAZZO, FABIANAMENEGHESSO, GAUDENZIOZANONI, ENRICO + - - -
Analysis of hot carrier aging degradation in GaN MESFETs 2004 PIEROBON, ROBERTORAMPAZZO, FABIANAPACETTA, DOMENICOMENEGHESSO, GAUDENZIOZANONI, ENRICO + - - -
Analysis of the deep level responsible for the degradation of InGaN-based laser diodes by DLTS 2012 MENEGHINI, MATTEODE SANTI, CARLOTRIVELLIN, NICOLAMENEGHESSO, GAUDENZIOZANONI, ENRICO + - - Proceedings of SPIE
Risultati 31 - 40 di 570 (tempo di esecuzione: 0.262 secondi).
↑ Back to top
Legenda icone

  •  file ad accesso aperto
  •  file disponibili sulla rete interna
  •  file disponibili agli utenti autorizzati
  •  file disponibili solo agli amministratori
  •  file sotto embargo
  •  nessun file disponibile

Aggiungere filtri:  
Aggiungi
Opzioni
Scopri
Tipologia
  • 04 CONTRIBUTO IN ATTO DI CONVEGNO 570
  • 04 CONTRIBUTO IN ATTO DI CONVEGNO... 570
Autore
  • MENEGHESSO, GAUDENZIO 529
  • MENEGHINI, MATTEO 398
  • DE SANTI, CARLO 194
  • TRIVELLIN, NICOLA 89
  • BUFFOLO, MATTEO 81
  • RAMPAZZO, FABIANA 80
  • STOCCO, ANTONIO 49
  • TAZZOLI, AUGUSTO 35
  • CARIA, ALESSANDRO 31
  • ROSSETTO, ISABELLA 30
Data di pubblicazione
  • 2020 - 2023 103
  • 2010 - 2019 270
  • 2000 - 2009 132
  • 1990 - 1999 52
  • 1981 - 1989 13
Editore
  • SPIE 32
  • Institute of Electrical and Elect... 29
  • IEEE 21
  • SPIE-INT SOC OPTICAL ENGINEERING 18
  • IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ... 6
  • IEEE Institute of Electrical and ... 4
  • Gaudenzio Meneghesso 3
  • IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ... 3
  • Institute of Physics Publishing 3
  • IEEE / Institute of Electrical an... 2
Rivista
  • PROCEEDINGS OF SPIE, THE INTERNAT... 9
  • IEEE INTERNATIONAL RELIABILITY PH... 5
  • INSTITUTE OF PHYSICS CONFERENCE S... 3
  • PROCEEDINGS OF THE EUROPEAN SOLID... 3
  • AIP CONFERENCE PROCEEDINGS 2
  • IEEE MTT-S INTERNATIONAL MICROWAV... 1
  • PROCEEDINGS OF THE INTERNATIONAL ... 1
Serie
  • PROCEEDINGS OF SPIE, THE INTERNAT... 32
  • IEEE INTERNATIONAL RELIABILITY PH... 18
  • TECHNICAL DIGEST - INTERNATIONAL ... 3
  • PROCEEDINGS OF THE ... INTERNATIO... 1
Keyword
  • reliability 143
  • HEMT 137
  • Gallium Nitride 128
  • degradation 127
  • light emitting diodes 63
  • Charge Trapping 61
  • InGaN 49
  • Gallium Arsenide 24
  • Reliability 20
  • Electrical and Electronic Enginee... 18
Lingua
  • eng 545
  • ita 8
Accesso al fulltext
  • no fulltext 570