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Trapping and reliability issues in GaN-based MIS HEMTs with partially recessed gate
2016 Meneghesso, Gaudenzio; Meneghini, Matteo; Bisi, Davide; Rossetto, Isabella; Wu, T. L.; Van Hove, M.; Marcon, D.; Stoffels, S.; Decoutere, S.; Zanoni, Enrico
Field- and time-dependent degradation of GaN HEMTs
2016 Zanoni, Enrico; Meneghesso, Gaudenzio; Meneghini, Matteo; Rossetto, Isabella; DE SANTI, Carlo
Reliability of Power Devices: Bias-Induced Threshold Voltage Instability and Dielectric Breakdown in GaN MIS-HEMTs
2016 Meneghesso, Gaudenzio; Bisi, Davide; Rossetto, Isabella; Ruzzarin, Maria; Meneghini, Matteo; Zanoni, Enrico
Reliability of Gallium Nitride microwave transistors: A framework for the evaluation of failure mechanisms and instabilities, from accelerated testing to failure analysis and process improvement
2016 Zanoni, Enrico; Meneghesso, Gaudenzio; Meneghini, Matteo; Stocco, Antonio; Dalcanale, Stefano; Rampazzo, Fabiana; DE SANTI, Carlo; Rossetto, Isabella
Experimental demonstration of weibull distributed failure in p-type GaN high electron mobility transistors under high forward bias stress
2016 Rossetto, Isabella; Meneghini, Matteo; Silvestri, Riccardo; Dalcanale, Stefano; Zanoni, Enrico; Meneghesso, Gaudenzio; Hilt, O.; Bahat Treidel, E.; Wuerfl, J.
Performance-Limiting Traps in GaN-Based HEMTs: From Native Defects to Common Impurities
2016 Rossetto, I.; Bisi, D.; De Santi, C.; Stocco, A.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Reliability and trapping issues in GaN based MIS HEMTs
2016 Meneghesso, Gaudenzio; Bisi, D.; Rossetto, Isabella; DE SANTI, Carlo; Meneghini, Matteo; Zanoni, Enrico
Evidence of Hot-Electron Degradation in GaN-based MIS-HEMTs Submitted to High Temperature Constant Source Current Stress
2016 Ruzzarin, Maria; Meneghini, Matteo; Rossetto, Isabella; Van Hove, M.; Stoffels, S.; Wu, T. L.; Decoutere, S.; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico
Normally-off HEMTs with p-GaN Gate: Stability and Lifetime Extrapolation
2016 Meneghesso, Gaudenzio; Meneghini, Matteo; Rossetto, Isabella; Rizzato, V.; Stoffels, S.; Van Hove, M.; Wu, T. L.; You, S.; Posthuma, N.; Decoutere, S.; Zanoni, Enrico
Instability of the breakdown voltage and leakage current in GaAs pseudomorphic HEMTs
2016 Tajalli, Alaleh; Rossetto, Isabella; Meneghini, Matteo; P., Romanini; M., Peroni; A., Pantellini; C., Lanzieri; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico
A novel high voltage and high speed measurement system for dynamic RON measurements in GaN‐based high mobility transistors (HEMTs)
2016 Barbato, Alessandro; Rossetto, Isabella; Barbato, Marco; Meneghini, Matteo; Zanoni, Enrico; Meneghesso, Gaudenzio
Study of the stability of e-mode GaN HEMTs with p-GaN gate based on combined DC and optical analysis
2016 Rossetto, Isabella; Meneghini, Matteo; Rizzato, V.; Ruzzarin, Maria; Favaron, Andrea; Stoffels, S.; Van Hove, M.; Posthuma, N.; Wu, T. L.; Marcon, D.; Decoutere, S.; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico
Field-dependent degradation mechanisms in GaN-based HEMTs
2016 Meneghini, Matteo; Meneghesso, Gaudenzio; Rossetto, Isabella; Bartholomeus, J.; Rampazzo, Fabiana; DE SANTI, Carlo; Bisi, Davide; Zanoni, Enrico
Reliability and parasitic issues in GaN-based power HEMTs: A review
2016 Meneghesso, Gaudenzio; Meneghini, Matteo; Rossetto, Isabella; Bisi, Davide; Stoffels, S.; Van Hove, M.; Decoutere, S.; Zanoni, Enrico
Normally-off GaN-HEMTs with p-type gate: Off-state degradation, forward gate stress and ESD failure
2016 Meneghini, Matteo; Hilt, O.; Fleury, C.; Silvestri, Riccardo; Capriotti, M.; Strasser, G.; Pogany, D.; Bahat Treidel, E.; Brunner, F.; Knauer, A.; Würfl, J.; Rossetto, Isabella; Zanoni, Enrico; Meneghesso, Gaudenzio; Dalcanale, Stefano
Gate stability of GaN-Based HEMTs with P-Type Gate
2016 Meneghini, Matteo; Rossetto, Isabella; Rizzato, V.; Stoffels, S.; Van Hove, M.; Posthuma, N.; Wu, T. L.; Marcon, D.; Decoutere, S.; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico
Time-Dependent Failure of GaN-on-Si Power HEMTs With p-GaN Gate
2016 Rossetto, Isabella; Meneghini, Matteo; Hilt, O.; Bahat Treidel, E.; DE SANTI, Carlo; Dalcanale, Stefano; Wuerfl, J.; Zanoni, Enrico; Meneghesso, Gaudenzio
Negative bias-induced threshold voltage instability in GaN-on-Si power HEMTs
2016 Meneghini, Matteo; Rossetto, Isabella; Bisi, Davide; Ruzzarin, Maria; Van Hove, M.; Stoffels, S.; Wu, T. L.; Marcon, D.; Decoutere, S.; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico
Reliability and failure physics of GaN HEMT, MIS-HEMT and p-gate HEMTs for power switching applications: Parasitic effects and degradation due to deep level effects and time-dependent breakdown phenomena
2015 Zanoni, Enrico; Meneghini, Matteo; Meneghesso, Gaudenzio; Bisi, Davide; Rossetto, Isabella; Stocco, Antonio
Demonstration of Field- and Power-Dependent ESD Failure in AlGaN/GaN RF HEMTs
2015 Rossetto, Isabella; Meneghini, Matteo; Barbato, Marco; Rampazzo, Fabiana; Marcon, D.; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico
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