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NOTA: è possibile cercare una corrispondenza esatta usando i doppi apici, ad es: "evoluzione della specie". Qualora si cerchi un identificativo, è consigliabile cercarlo in due modi differenti: tra apici con caratteri speciali es: "978-94-6366-274" oppure senza caratteri speciali solo come sequenza numerica: es 978946366274.
A study of Failure of GaN-based LEDs submitted to reverse-bias stress and ESD events
2010 Meneghini, Matteo; Tazzoli, Augusto; E., Ranzato; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; M., Pavesi; M., Manfredi; R., Butendeich; U., Zehnder; B., Hahn
A Study of Hot-Electron Degradation Effects in pseudomorphic HEMT’s
1995 P., Cova; R., Menozzi; F., Fantini; M., Pavesi; Meneghesso, Gaudenzio
A study of trapping phenomena on Recessed-Gate AlGaN/GaN-on- Silicon HEMT
2010 Ronchi, Nicolo'; Meneghini, Matteo; Stocco, Antonio; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; S., Tirelli; C. R., Bolognesi
A study on the reverse-bias and ESD instabilities of InGaN-based green LEDs
2010 Meneghini, Matteo; Tazzoli, Augusto; Trivellin, Nicola; E., Ranzato; DAL LAGO, Matteo; B., Hahn; U., Zehnder; R., Butendeich; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico
Accelerated aging of GaN light emitting diodes studied by 1/f and RTS noise
2005 S., Bychikhin; L. K. J., Vandamme; J., Kuzmik; Meneghesso, Gaudenzio; Levada, Simone; Zanoni, Enrico; D., Pogany
Accelerated testing of RF-MEMS contact degradation through radiation sources
2010 Tazzoli, Augusto; Barbato, Marco; Giliberto, Valentina; G., Monaco; Gerardin, Simone; Nicolosi, Piergiorgio; Paccagnella, Alessandro; Meneghesso, Gaudenzio
Active Recovering Mechanism for High Performance RF MEMS Redundancy Switches
2010 F., Solazzi; Tazzoli, Augusto; P., Farinelli; A., Faes; V., Mulloni; Meneghesso, Gaudenzio; B., Margesin
Adaptive multi-wavelength LED star simulator for space life studies
2016 Trivellin, Nicola; Barbisan, Diego; Ferretti, Marco; Erculiani, Marco; Claudi, Riccardo; Giro, E.; Bonato, M.; Cocola, Lorenzo; Poletto, Luca; Salasnich, B.; Meneghini, Matteo; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico
Addressing the electrical degradation of 845 nm micro-transfer printed VCSILs through TCAD simulations
2023 Zenari, M.; Buffolo, M.; De Santi, C.; Goyvaerts, J.; Grabowski, A.; Gustavsson, J.; Baets, R.; Larsson, A.; Roelkens, G.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Ageing mechanisms of 420nm GaN HBLED
2010 Trivellin, Nicola; Meneghini, Matteo; A., Zanotto; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico
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Tipologia
- 04 CONTRIBUTO IN ATTO DI CONVEGNO 696
- 04 CONTRIBUTO IN ATTO DI CONVEGNO... 671
- 04 CONTRIBUTO IN ATTO DI CONVEGNO... 25
Data di pubblicazione
- 2020 - 2023 107
- 2010 - 2019 361
- 2000 - 2009 185
- 1992 - 1999 43
Editore
- Institute of Electrical and Elect... 35
- SPIE 33
- IEEE 22
- SPIE-INT SOC OPTICAL ENGINEERING 18
- IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ... 7
- IEEE Institute of Electrical and ... 5
- IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ... 5
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- Gaudenzio Meneghesso 3
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Rivista
- PROCEEDINGS OF SPIE, THE INTERNAT... 10
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- PROCEEDINGS OF THE EUROPEAN SOLID... 5
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Serie
- PROCEEDINGS OF SPIE, THE INTERNAT... 32
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Keyword
- reliability 172
- HEMT 157
- degradation 153
- Gallium Nitride 142
- Charge Trapping 66
- light emitting diodes 66
- InGaN 50
- Electrostatic discharge (ESD) 37
- MEMS 32
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Lingua
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