NARDO, ARIANNA
NARDO, ARIANNA
Università di Padova
A novel on-wafer approach to test the stability of GaN-based devices in hard switching conditions: Study of hot-electron effects
2020 Modolo, N.; Meneghini, M.; Barbato, A.; Nardo, A.; De Santi, C.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Sicre, S.; Prechtl, G.; Curatola, G.
Cause and Effects of OFF-State Degradation in Hydrogen-Terminated Diamond MESFETs
2020 De Santi, C.; Pavanello, L.; Nardo, A.; Verona, C.; Rinati, G. V.; Cannata, D.; Pietrantonio, F. D.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
ESD-failure of E-mode GaN HEMTs: Role of device geometry and charge trapping
2019 Canato, E.; Meneghini, M.; Nardo, A.; Masin, F.; Barbato, A.; Barbato, M.; Stockman, A.; Banerjee, A.; Moens, P.; Zanoni, E.; Meneghesso, G.
Hot-Electron Effects in AlGaN/GaN HEMTs under Semi-ON DC Stress
2020 Minetto, A.; Deutschmann, B.; Modolo, N.; Nardo, A.; Meneghini, M.; Zanoni, E.; Sayadi, L.; Prechtl, G.; Sicre, S.; Haberlen, O.
Impact of sidewall etching on the dynamic performance of GaN-on-Si E-mode transistors
2018 Tajalli, A.; Canato, E.; Nardo, Arianna; Meneghini, M.; Stockman, A.; Moens, P.; Zanoni, E.; Meneghesso, G.
Laser-induced activation of Mg-doped GaN: quantitative characterization and analysis
2022 Nardo, Arianna; de Santi, Carlo; Carraro, C.; Sgarbossa, Francesco; Buffolo, M.; Diehle, P.; Gierth, S.; Altmann, Frank; Hahn, H.; Fahle, D.; Heuken, Michael; Fouchier, M.; Gasparotto, A.; Napolitani, Enrico; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Meneghini, Matteo
Non thermally-activated transients and buffer traps in GaN transistors with p-type gate: A new method for extracting the activation energy
2020 Nardo, A.; Meneghini, M.; Barbato, A.; De Santi, C.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Sicre, S.; Sayadi, L.; Prechtl, G.; Curatola, G.
Positive and negative charge trapping GaN HEMTs: Interplay between thermal emission and transport-limited processes
2021 Nardo, A.; De Santi, C.; Koller, C.; Ostermaier, C.; Daumiller, I.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Recovery of drain-induced threshold voltage shift by positive gate bias in GaN power HEMTs with p-GaN gate
2024 Favero, D.; De Santi, C.; Nardo, A.; Dixit, A.; Vanmeerbeek, P.; Stockman, A.; Tack, M.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Reliability of H-terminated diamond MESFETs in high power dissipation operating condition
2020 De Santi, C.; Pavanello, L.; Nardo, A.; Verona, C.; Verona Rinati, G.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Review on the degradation of GaN-based lateral power transistors
2021 De Santi, C.; Buffolo, M.; Rossetto, I.; Bordignon, T.; Brusaterra, E.; Caria, A.; Chiocchetta, F.; Favero, D.; Fregolent, M.; Masin, F.; Modolo, N.; Nardo, A.; Piva, F.; Rampazzo, F.; Sharma, C.; Trivellin, N.; Gao, Z.; Meneghini, M.; Zanoni, E.; Meneghesso, G.
Stability and degradation of isolation and surface in Ga2O3 devices
2019 De Santi, C.; Nardo, A.; Wong, M. H.; Goto, K.; Kuramata, A.; Yamakoshi, S.; Murakami, H.; Kumagai, Y.; Higashiwaki, M.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Storage and release of buffer charge in GaN-on-Si HEMTs investigated by transient measurements
2020 Nardo, A.; Meneghini, M.; Barbato, A.; De Santi, C.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Sicre, S.; Sayadi, L.; Prechtl, G.; Curatola, G.