RicercaInizia una nuova ricerca
NOTA: è possibile cercare una corrispondenza esatta usando i doppi apici, ad es: "evoluzione della specie". Qualora si cerchi un identificativo, è consigliabile cercarlo in due modi differenti: tra apici con caratteri speciali es: "978-94-6366-274" oppure senza caratteri speciali solo come sequenza numerica: es 978946366274.
24 Hours Stress Test and Failure Analysis of 0.25 μm AlGaN/GaN HEMTs
2018 Rzin, M.; Rampazzo, F.; Meneghini, M.; Grünenpütt, J.; Jung, H.; Lambert, B.; Riepe, K.; Blanck, H.; Graff, A.; Altmann, F.; Simon-Najasek, M.; Poppitz, D.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
A comprehensive reliability evaluation of high-performance AlGaN/GaN HEMTs for space applications
2016 DE SANTI, Carlo; Dalcanale, Stefano; Stocco, Antonio; Rampazzo, Fabiana; Gerardin, Simone; Meneghini, Matteo; Meneghesso, Gaudenzio; Chini, Alessandro; Verzellesi, Giovanni; Grünenpütt, Jan; Lambert, Benoit; Schauwecker, Bernd; Blanck, Hervé; Barnes, Andrew; Zanoni, Enrico
A Distributed Electrical Network to Model the Local Shunting in Multicrystalline Silicon Solar Cells
2012 D., Giaffreda; Magnone, Paolo; R., De Rose; Barbato, Marco; Meneghini, Matteo; Giliberto, Valentina; Meneghesso, Gaudenzio; E., Sangiorgi; C., Fiegna
A Generalized Approach to Determine the Switching Reliability of GaN HEMTs on-Wafer Level
2021 Modolo, N.; Minetto, A.; De Santi, C.; Sayadi, L.; Sicre, S.; Prechtl, G.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
A novel degradation mechanism of AlGaN/GaN/Silicon heterostructures related to the generation of interface traps
2012 Meneghini, Matteo; Bertin, Marco; G., dal Santo; Stocco, Antonio; A., Chini; D., Marcon; P. E., Malinowski; G., Mura; E., Musu; M., Vanzi; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico
A novel high voltage and high speed measurement system for dynamic RON measurements in GaN‐based high mobility transistors (HEMTs)
2016 Barbato, Alessandro; Rossetto, Isabella; Barbato, Marco; Meneghini, Matteo; Zanoni, Enrico; Meneghesso, Gaudenzio
A Novel System to Measure the Dynamic On‑Resistance of On‑Wafer 600 V Normally-Off GaN HEMTs in Real Application Conditions
2017 Barbato, Alessandro; Barbato, M.; Meneghini, M.; Silvestri, M.; Detzel, T.; Haeberlen, O.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
A review of failure modes and mechanisms of GaN-based HEMT's
2007 Zanoni, Enrico; Meneghesso, Gaudenzio; G., Verzellesi; Danesin, Francesca; Meneghini, Matteo; Rampazzo, Fabiana; Tazzoli, Augusto; Zanon, Franco
A Review of SiC Commercial Devices for Automotive: Properties and Challenges
2023 Marcuzzi, Alberto; Favero, Davide; DE SANTI, Carlo; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Meneghini, Matteo
A Review on the Reliability of GaN-based Laser Diodes
2010 Trivellin, Nicola; Meneghini, Matteo; Zanoni, Enrico; K., Orita; M., Yuri; T., Tanaka; D., Ueda; Meneghesso, Gaudenzio
Legenda icone
- file ad accesso aperto
- file disponibili sulla rete interna
- file disponibili agli utenti autorizzati
- file disponibili solo agli amministratori
- file sotto embargo
- nessun file disponibile
Opzioni
Scopri
Tipologia
- 04 CONTRIBUTO IN ATTO DI CONVEGNO 461
- 04 CONTRIBUTO IN ATTO DI CONVEGNO... 461
Data di pubblicazione
- 2020 - 2024 145
- 2010 - 2019 266
- 2004 - 2009 50
Editore
- SPIE 36
- Institute of Electrical and Elect... 35
- IEEE 22
- SPIE-INT SOC OPTICAL ENGINEERING 21
- IEEE Institute of Electrical and ... 4
- IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ... 3
- IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ... 3
- IEEE / Institute of Electrical an... 2
- IEEE Computer Society 2
- Optica publishing group 2
Rivista
- PROCEEDINGS OF SPIE, THE INTERNAT... 10
- IEEE INTERNATIONAL RELIABILITY PH... 5
- PROCEEDINGS OF THE EUROPEAN SOLID... 4
- AIP CONFERENCE PROCEEDINGS 2
- IEEE MTT-S INTERNATIONAL MICROWAV... 1
- PROCEEDINGS OF THE INTERNATIONAL ... 1
Serie
- PROCEEDINGS OF SPIE, THE INTERNAT... 35
- IEEE INTERNATIONAL RELIABILITY PH... 25
- TECHNICAL DIGEST - INTERNATIONAL ... 4
- PROCEEDINGS OF THE INTERNATIONAL ... 2
- PROCEEDINGS OF THE ... INTERNATIO... 1
Keyword
- degradation 93
- reliability 91
- Gallium Nitride 70
- HEMT 59
- light emitting diodes 52
- InGaN 41
- Reliability 21
- Electrical and Electronic Enginee... 20
- GaN 17
- Electronic 14
Lingua
- eng 452
- ita 2
Accesso al fulltext
- no fulltext 460
- open 1