Sfoglia per Serie IEEE INTERNATIONAL RELIABILITY PHYSICS SYMPOSIUM PROCEEDINGS
Analysis and Modeling of VthShift in 4H-SiC MOSFETs at Room and Cryogenic-Temperature
2022 Masin, F.; De Santi, C.; Stockman, A.; Lettens, J.; Geenen, F.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Moens, P.; Meneghini, M.
Deep level effects and degradation of 0.15 μm RF AlGaN/GaN HEMTs with Mono-layer and Bi-layer AlGaN backbarrier
2022 Gao, Z.; Chiocchetta, F.; De Santi, C.; Modolo, N.; Rampazzo, F.; Meneghini, M.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Blanck, H.; Stieglauer, H.; Sommer, D.; Benoit, L.; Grunenputt, J.; Kordina, O.; Chen, J. -T.; Jacquet, J. -C.; Lacam, C.; Piotrowicz, S.
ESD induced damage on ultra-thin gate oxide MOSFETs and its impact on device reliability
2005 Cester, Andrea; Gerardin, Simone; Tazzoli, Augusto; Paccagnella, Alessandro; Zanoni, Enrico; G., Ghidini; Meneghesso, Gaudenzio
GaN RF HEMT Reliability: Impact of Device Processing on I-V Curve Stability and Current Collapse
2022 Chiocchetta, F.; De Santi, C.; Rampazzo, F.; Mukherjee, K.; Grunenputt, J.; Sommer, D.; Blanck, H.; Lambert, B.; Gerosa, A.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Gate Stability and Robustness of In-Situ Oxide GaN Interlayer Based Vertical Trench MOSFETs (OG-FETs)
2019 Ruzzarin, M.; Borga, M.; Zanoni, E.; Meneghini, M.; Meneghesso, G.; Ji, D.; Li, W.; Chan, S. H.; Agarwal, A.; Gupta, C.; Keller, S.; Mishra, U. K.; Chowdhury, S.
A Generalized Approach to Determine the Switching Reliability of GaN HEMTs on-Wafer Level
2021 Modolo, N.; Minetto, A.; De Santi, C.; Sayadi, L.; Sicre, S.; Prechtl, G.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
High-Temperature PBTI in Trench-Gate Vertical GaN Power MOSFETs: Role of Border and Semiconductor Traps
2023 Favero, D; Cavaliere, A; De Santi, C; Borga, M; Goncalez, W; Geens, K; Bakeroot, B; Decoutere, S; Meneghesso, G; Zanoni, E; Meneghini, M
Hot-Electron Effects in GaN GITs and HD-GITs: A Comprehensive Analysis
2019 Fabris, E.; Meneghini, M.; De Santi, C.; Borga, M.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Kinoshita, Y.; Tanaka, K.; Ishida, H.; Ueda, T.
Influence of Drain and Gate Potential on Gate Failure in Semi-Vertical GaN-on-Si Trench MOSFETs
2022 Favero, D.; De Santi, C.; Mukherjee, K.; Geens, K.; Borga, M.; Bakeroot, B.; You, S.; Decoutere, S.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Influence of Gate Length on pBTI in GaN-on-Si E-Mode MOSc-HEMT
2019 Viey, A. G.; Vandendaele, W.; Jaud, M. A.; Gwoziecki, R.; Torres, A.; Plissonnier, M.; Gaillard, F.; Ghibaudo, G.; Modica, R.; Iucolano, F.; Meneghini, M.; Meneghesso, G.
Modeling Hot-Electron Trapping in GaN-based HEMTs
2022 Modolo, N.; De Santi, C.; Minetto, A.; Sayadi, L.; Sicre, S.; Prechtl, G.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Perimeter Driven Transport in the p-GaN Gate as a Limiting Factor for Gate Reliability
2019 Stoffels, S.; Posthuma, N.; Decoutere, S.; Bakeroot, B.; Tallarico, A. N.; Sangiorgi, Enrico; Fiegna, C.; Zheng, J.; Ma, X.; Borga, M.; Fabris, E.; Meneghini, M.; Zanoni, E.; Meneghesso, G.; Priesol, J.; Satka, A.
Range Evaluation of Threshold Voltage Instabilities of GaN-on-Si HEMTs with p-GaN Gate
2019 Canato, E.; Masin, F.; Borga, M.; Zanoni, E.; Meneghini, M.; Meneghesso, G.; Stockman, A.; Banerjee, A.; Moens, P.
Reliability Physics of GaN HEMT Microwave Devices: The Age of Scaling
2020 Zanoni, E.; Meneghini, M.; Meneghesso, G.; Rampazzo, F.; Marcon, D.; Zhan, V. G.; Chiocchetta, F.; Graff, A.; Altmann, F.; Simon-Najasek, M.; Poppitz, D.
Role of the AlGaN Cap Layer on the Trapping Behaviour of N-Polar GaN MISHEMTs
2021 Chiocchetta, F.; Calascione, C.; De Santi, C.; Sharma, C.; Rampazzo, F.; Zheng, X.; Romanczyk, B.; Guidry, M.; Li, H.; Keller, S.; Mishra, U. K.; Meneghesso, G.; Meneghini, M.; Zanoni, E.
Study on the difference between ID(VG) and C(VG) pBTI shifts in GaN-on-Si E-mode MOSc-HEMT
2021 Viey, A. G.; Vandendaele, W.; Jaud, M. -A.; Coignus, J.; Cluzel, J.; Krakovinsky, A.; Martin, S.; Biscarrat, J.; Gwoziecki, R.; Sousa, V.; Gaillard, F.; Modica, R.; Iucolano, F.; Meneghini, M.; Meneghesso, G.; Ghibaudo, G.
Thermally-activated failure mechanisms of 0.25 μm RF AlGaN/GaN HEMTs submitted to long-term life tests
2023 Gao, Z; Chiocchetta, F; Rampazzo, F; De Santi, C; Fornasier, M; Meneghesso, G; Meneghini, M; Zanoni, E
Trap Dynamics Model Explaining the RON Stress/Recovery Behavior in Carbon-Doped Power AlGaN/GaN MOS-HEMTs
2020 Zagni, N.; Chini, A.; Puglisi, F. M.; Pavan, P.; Meneghini, M.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Verzellesi, G.
Trapping in Al2O3/GaN MOScaps investigated by fast capacitive techniques
2023 Fregolent, M; Marcuzzi, A; De Santi, C; Treidel, Eb; Meneghesso, G; Zanoni, E; Meneghini, M
Vertical stack reliability of GaN-on-Si buffers for low-voltage applications
2021 Fabris, E.; Borga, M.; Posthuma, N.; Zhao, M.; De Jaeger, B.; You, S.; Decoutere, S.; Meneghini, M.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
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