ZANONI, ENRICO
ZANONI, ENRICO
Dipartimento di Ingegneria dell'Informazione - DEI
Deep-Level Effects in Back-Barrier-Scaled GaN HEMTs
2026 De Pieri, F.; Carlotto, A.; Fregolent, M.; Cavaliere, A.; Saro, M.; Rampazzo, F.; De Santi, C.; Zhan, V. G.; Meneghesso, G.; Meneghini, M.; Zanoni, E.
Experimental Evidence of Sustainable Avalanche Operation in E-Mode GaN HEMTs
2026 Fraccaroli, R.; Dell'Andrea, M.; Fregolent, M.; Boito, M.; Longato, S. L.; De Santi, C.; Rossetto, I.; Zanoni, E.; Meneghesso, G.; Pirani, A.; Pizzo, G.; Miccoli, C.; Russo, A.; Castagna, M. E.; Iucolano, F.; Meneghini, M.
Identification of boron-related traps via capacitance spectroscopy in diamond Schottky diodes
2026 Biasin, G.; Fregolent, M.; Buffolo, M.; De Santi, C.; Bassaler, J.; Maurya, V.; Letellier, J.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Verzellesi, G.; Chini, A.; Meneghini, M.
Insights provided by TCAD modelling into on- and off-state performance of pseudo-vertical diamond Schottky barrier diodes
2026 Verzellesi, G.; Biasin, G.; Bassaler, J.; Buffolo, M.; Maurya, V.; Chini, A.; De Santi, C.; Fregolent, M.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Letellier, J.; Meneghini, M.
Modeling Leakage Current Variations Starting From Threshold Voltage Shift in SiC MOSFETs Submitted to Positive Gate Stress
2026 Zappalà, G.; Marcuzzi, A.; De Santi, C.; Avramenko, M.; Moens, P.; Feng, A.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Modeling the Changes in the Current-Voltage Characteristics of Vertical GaN-on-GaN p-i-n Diodes Under Electrical Stress
2026 Vianello, A. M.; Longato, S. L.; Fregolent, M.; Rampazzo, F.; Buffolo, M.; Wang, D.; Da, B.; Fu, H.; Luo, S.; Chang, C.; Zhao, Y.; Rossetto, I.; De Santi, C.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Optical Degradation of 845 nm VCSELs With Different Oxide Apertures for Silicon Photonics
2026 Zenari, M.; Buffolo, M.; Perale, F.; De Santi, C.; Goyvaerts, J.; Grabowski, A.; Gustavsson, J. S.; Baets, R.; Roelkens, G.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
P-Channel GaN FETs on Low-Doped Layers Enabled by Thermal Mg-Diffusion Process: Demonstration and Characterization
2026 Fregolent, M.; Sarkar, B.; Lu, S.; Wang, J.; Watanabe, H.; Woong, K.; De Santi, C.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Honda, Y.; Amano, H.; Meneghini, M.
Quantitative modeling of threshold instability in β-Ga2O3 finFETs through electro-optical investigation
2026 Fregolent, M.; Piva, F.; De Santi, C.; Buffolo, M.; Li, W.; Nomoto, K.; Hu, Z.; Jena, D.; Xing, H. G.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Roll-to-roll flexible back-contacted c-Si PV modules: performance analysis and impact of mechanical and thermal stress
2026 Jakuza, P.; Garbelotto, G.; Caria, A.; Trivellin, N.; Buffolo, M.; De Santi, C.; Rampino, S.; Pattini, F.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Sustainable breakdown in sub-micrometer E-mode GaN HEMTs: Impact of gate bias and process-driven optimization
2026 Dell'Andrea, M.; Fraccaroli, R.; Longato, S. L.; Fregolent, M.; De Santi, C.; Rossetto, I.; Boito, M.; Pirani, A.; Pizzo, G.; Miccoli, C.; Russo, A.; Castagna, M. E.; Iucolano, F.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Ultrawide Bandgap Semiconductors: State of the Art and Technological Challenges
2026 Fregolent, Manuel; Biasin, Giacomo; Buffolo, Matteo; De Santi, Carlo; Rossetto, Isabella; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Meneghini, Matteo
A Schottky gate p-GaN fin-channel field effect transistor on very low-doped p-GaN films
2025 Fregolent, Manuel; Singh, Simranjit; Lu, Shun; Watanabe, Hirotaka; Wang, Jia; De Santi, Carlo; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Meneghini, Matteo; Honda, Yoshio; Amano, Hiroshi; Sarkar, Biplab
Changes in the extraction and collection efficiency of GaN-based MQW solar cells under optical step-stress
2025 Nicoletto, M.; Bertin, S.; Caria, A.; Roccato, N.; De Santi, C.; Buffolo, M.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Current Collapse in Buffer-Free GaN-on-SiC Power Transistors: Maxwell-Wagner Effect and Related Model
2025 Cavaliere, Alberto; Modolo, Nicola; Santi, Carlo De; Koller, Christian; Ostermaier, Clemens; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Öberg, Olof; Wang, Qin; Chen, Ding Yuan; Lundskog, Anders; Chen, Jr-Tai; Meneghini, Matteo
Diffusion mechanism as cause of optical degradation in AlGaN-based UV-C leds investigated by TCAD simulations
2025 Roccato, N.; Piva, F.; Buffolo, M.; De Santi, C.; Trivellin, N.; Susilo, N.; Vidal, D. H.; Muhin, A.; Sulmoni, L.; Wernicke, T.; Kneissl, M.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Enhanced Gate Reliability of p-GaN/AlGaN/GaN HEMTs Due to Gate Hole Injection and Recombination
2025 Fregolent, Manuel; De Santi, Carlo; Boito, Mirco; Disarò, Michele; Pirani, Alessio; Eloisa Castagna, Maria; Miccoli, Cristina; Pizzo, Giansalvo; Rossetto, Isabella; Cerati, Lorenzo; Iucolano, Ferdinando; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Meneghini, Matteo
Evidence for double degradation regime in off-state stressed 100 V GaN transistors: From dielectric failure to subthreshold current increase
2025 Fraccaroli, R.; Fregolent, M.; Boito, M.; De Santi, C.; Canato, E.; Rossetto, I.; Castagna, M. E.; Miccoli, C.; Russo, A.; Iucolano, F.; Pirani, A.; Pizzo, G.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Hail Damage Investigation in Heterojunction Silicon Photovoltaic Modules: A Real-World Case Study
2025 Nicoletto, M.; Panizzon, D.; Caria, A.; Trivellin, N.; De Santi, C.; Buffolo, M.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Impact of drain-source leakage on the dynamic Ron of power HEMTs with p-GaN gate
2025 Longato, S. L.; Favero, D.; Stockman, A.; Nardo, A.; Vanmeerbeek, P.; Tack, M.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; De Santi, C.; Meneghini, M.